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논문 상세정보

GaAs MESFET의 새로운 드레인 전류 모델

A new drian-current model kof GaAs MESFET

Abstract

A new DC drain-current model of GaAs MESFET with improved accuracy is proposed in this paper. The proposed model includes the decrease of current slope according to gate voltages. It is possible to represent a transconductance compression using the proposed model. It shows improved transconductance and output resistance in accuracy from the forward biased gate region to near the cutoff region. The wquaer error of saturation current is decreased by 46% compared with Statz model. The proposed model can be useful for the simulation of large-signal operation and harmonic distortion.

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참고문헌 (0)

  1. 이 논문의 참고문헌 없음

이 논문을 인용한 문헌 (1)

  1. 1999. "The Desing of GaAs MESFET Resistive Mixer with High Linearity" 韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, 10(2): 169~179 

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