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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.33A no.6, 1996년, pp.158 - 163
이상흥 (충남대학교 전자공학과) , 송호준 (충남대학교 전자공학과) , 이기준 (충남대학교 전자공학과)
In the conventional GaAs MESFET circuit simulation, the DC and transient simulation results are often failed due to the discontrinuities of the first and second order derivatives arising from the use of separate C-V models in linear, satruration, and transition regions. In this paper, we propose a u...
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