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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.33A no.10, 1996년, pp.123 - 129
이상기 (한양대학교 물리학과) , 황현상 (LG반도체) , 안재경 (LG반도체) , 정주영 (수원대학교 전자공학과) , 어영선 (한양대학교 전자공학과) , 권오경 (한양대학교 전자공학과) , 이창효 (한양대학교 물리학과)
LDD structure is widely accepted in fabricating short channel MOSFETs due to reduced short channel effect originated form lower drain edge electric field. However, modeling of the LDD device is troublesome because the analysis methods of LDD region known are either too complicated or inaccurate. To ...
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