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논문 상세정보

초록

CuInTe2 다결정은 수평전기로에서 합성하고, CuInTe2 단결정은 수직 Bridgman 방법으로 성장하여 결정구조를 조사하고, Hall 효과를 30K에서 293K의 온도영역에서 측정하였다. CuInTe2 다결정 및 단결정은 정방정계였다. 다결정의 격자상수는 a=6.168Å, c=12.499Å 그리고 c/a=2.026이었고, 단결정의 격자상수는 a=6.186Å, c=12.453Å, 그리고 c/a=2.013이었다. CuInTe2 단결정의 성장면은 Laue 배면반사 사진으로부터 구하였으며 (112)면이었다. CuInTe2 단결정의 Hall 효과는 van der Pauw 방법으로 측정하였다. 상온에서 측정된 c축에 수직한 시료의 운반자농도 p는 2.14×1023holes/m3, 전기전도도 δ는 739.58Ω-1m-1 그리고 이동도 μ는 2.16×10 m2/V·s 이었다. c축에 평행한 시료의 운반자농도 p는 1.51×1023holes/m3, 전기전도도 σ는 717.55Ω-1m-1 그리고 이동도 μ는 2.97×10-2 m2/V·s이었다. c축에 수직 및 평행한 시료의 Hall계수가 양의 값이어서 CuInTe2 단결정은 p형 반도체임을 알 수 있었다.

Abstract

CuInTe2 synthesised in a horizontal electric furnace was found to be polycrystalline. Single crystals of CuInTe2 were grown with the vertical Bridgman technique. The structure, Hall effect of the crystals were measured in the temperature range 30 to 293K. Both the polycrystals and single crystals of CuInTe2 were tetragonal in structure. The lattice constants of the polycrytals were measured as a=6.168Å and c=12.499Å, with c/a=2.026, these of the single crystals were measured as a=6.186Å and c=12.453Å, with c/a=2.013. The growth plane of the oriented single crystals was confirmed to be a (112) plane from the back-reflection Laue patterns. The Hall effect of the CuInTe2 single crystals was measured with the method of van der Pauw The Hall data of the samples measured at room temperature showed a carrier concentration of 2.14×1023holes/m3, a conductivity of 739.58Ω-1m-1, and a mobility of 2.16×10 -2m 2/V·s for the sample perpendicular to the c-axis. Values of 1.51×1023holes/m3, 717.55Ω-1m-1, and 2.97×10-2 m2/V·s were obtained for the sample parallel to the c-axis. The Hall coefficients for the samples both perpendicular and parallel to the c-axis in the temperature range 30K to 293K were always positive values. Thus the CuInTe2 single crystal was determined to be a p-type semiconductor.

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