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수직형 LPE장치를 이용한 InGaAsP/InP RWG(Ridge Waveguide) MQW-LD제작
The fabrication of InGaAsP/InP RWG(ridge waveguide) MQW-LD by the vertical LPG system 원문보기

한국광학회지 = Korean journal of optics and photonics, v.7 no.2, 1996년, pp.150 - 156  

박윤호 (한국해양대학교 전자통신공학과) ,  오수환 (한국해양대학교 전자통신공학과) ,  하홍춘 (한국해양대학교 전자통신공학과) ,  안세경 (한국해양대학교 전자통신공학과) ,  이석정 (한국해양대학교 전자통신공학과) ,  홍창희 (한국해양대학교 전자통신공학과) ,  조호성 (전자통신연구소 화합물반도체 연구부)

초록
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본 연구에서는 RWG MQW-LD가 weakly index-guided LD로 동작하기 위한 최적 걸게조건으로부터, 수직형 LPE장치를 사용하여 RWG MQW-LD를 제작하였다. 먼저 수회의 실험을 통해 MQW-DH웨이퍼를 photolithofraphy공정을 통해 폭이 4.mu.m인 ridge 패턴을 형성시켜 RWG MQW-LD를 제작하였으며 전기광학적 특성을 조사한 결과 I=2.7I$_{th}$ 이상에서도 측방향 단일모드 동작함을 알 수 있었다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

RWG MQW-LD has been made with our vertical LPE system from the optimal design condition for the RWG MQW-LD to be activated as weakly index-guided LD. Through several experiments we have established the growth condition which can be used through to grow the MQW-DH wafer and to control the thickness o...

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