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자기정렬공정에 의한 GaAs/AlGaAs 광위상변조기의 제작 및 특성 측정
Chatacterization of GaAs/AlGaAs optical phase modulator fabricated by self-aligned process 원문보기

한국광학회지 = Korean journal of optics and photonics, v.7 no.3, 1996년, pp.287 - 294  

김병성 (광운대학교 전자통신공학과 신기술연구소) ,  정영철 (광운대학교 전자통신공학과 신기술연구소) ,  변영태 (한국과학기술연구원 정보전자연구부) ,  박경현 (한국과학기술연구원 정보전자연구부) ,  김선호 (한국과학기술연구원 정보전자연구부) ,  임동건 (고려대학교 물리학과)

초록
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MOCVD(metal-organic chemical vapour deposition)방법으로 성장시킨 이중 이종접합구조 GaAs/AlGaAs 웨이퍼를 이용하여 광위상변조기를 제작하였다. 제작과정에서 도파로와 절연층의 형성시 동일 포토레지스트 패턴을 이용하는 자기종렬공정을 개발하여 그 효용성을 입증하였다. Fabry-Perot 간섭법을 이용하여 변조기의 위상변조효율을 측정하였으며 1.31.mu.m파장에서 TE 편광의 경우 22.5.deg./Vmm의 위상변조특성을 얻었다.

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An optical phase modulator is fabricated in GaAs/AlGaAs doble heterostructure wafer grown by MOCVD. A self-aligned process, in which the same photoresist pattern is used for both the waveguide etching and the insulation layer formation, is developed and is found to be very useful, Fabry-Perot interf...

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