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초크랄스키법에 의한 8인치 실리콘 단결정 성장시 비대칭 커스프자장의 영향에 관한 연구
A numerical study on the effects of the asymmetric cusp magnetic field in 8 inch silicon single crystal growth by Czochralski method 원문보기

한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.6 no.1, 1996년, pp.1 - 10  

이승철 (서울대학교 금속공학과) ,  정형태 (산업과학기술연구소) ,  윤종규 (서울대학교 금속공학과)

초록

초크랄스키법에 의한 8언치 실리콘 단결정 성장시 커스프자장의 영향에 관한 수치 해석적 연구를 행하였다. 액상실리콘의 유동에 대한 모렐은 저레이놀즈수 모렐을 사용하였다. 대칭커스프자장은 유션의 강도를 감쇄하였고, 특히 도가니 벽면 근처에서의 유동의 감쇄효과가 현저하였다. 결정으로 혼업되는 산소의 농도는 인가되는 커스프자장의 증가에 따라 감소하였다. 그리고, 결정으로 혼업되는 산소농도의 균일성은 향상되었다. 비대칭커스프 자장은 결정으로 혼 입되는 산소의 농도를 중가시켰지만, 반경방향의 산소농도의 분포는 일정하게 유지되었다. 대칭 과 비대청 커스프자장의 적절한 조합을 행하면 축방향으로 일정한 산소의 분포를 갖는 적절한 조업조건이 도출될 것으로 예상된다.

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A numerical study was conducted on the effects of the cusp magnetic field in 8" silicon single crystal grwoth by Czochralski method. For a damping effects simulation by magnetic field, low reynolds number ${\kappa} - {\varepsilon}$ model was adopted. Symmetrci cusp magnetic field has a e...

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