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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D, v.34D no.1, 1997년, pp.35 - 40
박철민 (서울대학교 공과대학 전기공학부) , 민병혁 (서울대학교 공과대학 전기공학부) , 전재홍 (서울대학교 공과대학 전기공학부) , 유준석 (서울대학교 공과대학 전기공학부) , 최홍석 (서울대학교 공과대학 전기공학부) , 한민구 (서울대학교 공과대학 전기공학부)
A new method to form the gate oxide and recrystllize the polycrystalline silicon (poly-Si) active layer simultaneously is proposed and fabricated successfully. During te irradiation of excimer laser, the poly-Si film is recrystallized, while the oxygen ion impurities injected into the amorphous sili...
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