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논문 상세정보

고밀도 플라즈마에서 규소산화막을 마스크로 이용한 백금박막의 페터닝

Patterning of Pt thin films using SiO$_2$mask in a high density plasma

Abstract

Inductively coupled Cl$_{2}$ plasma has been studied to etch Pt thin films, which hardly form volatile compound with any reactive gas at normal process temperature. Low etch rate and residue problems are frequently observed. For higher etch rate, high density plasma and higher process temperature is adopted observed. For higher etch rate, high density plasma and higher process temperature is adopted and thus SiO$_{2}$ is used as for patterning mask instead of photoresist. The effect of O$_{2}$ or Ar addition to Cl$_{2}$ was investigated, and the chamber pressure, gas flow rate, surce RF power and bias RF power are also varied to check their effects on etch rate and selectivity. The major etching mechanism is the physical sputtering, but the ion assisted chemical raction is also found to be a big factor. The proposs can be optimized to obtain the etch rate of Pt up to 200nm/min and selectivity to SiO$_{2}$ at 2.0 or more. Patterning of submicron Pt lines are successfully demonstrated.

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참고문헌 (0)

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이 논문을 인용한 문헌 (1)

  1. Lee, Jong-Geun ; Park, Se-Geun 2000. "Dry Etching of Pt/RuO$_{2}$ for Pb(Zr,Ti)O$_{3}$ by High Density Plasma" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, 37(3): 1~5 

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