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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D, v.34D no.5, 1997년, pp.61 - 66
김정배 (서울대학교 공과대학 전기공학부) , 김문정 (서울대학교 공과대학 전기공학부) , 김성준 (서울대학교 공과대학 전기공학부)
In this paper we report the fabrication of an InGaAs metal-semiconductor-metal (MSM) photodiode(PD) which an InAlAs barrier enhancement layer that has very low dark current and high speed chracteristics. The detector using Cr/Au schottky metal fingers with 4um spacing on a large active area of 300*3...
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