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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D, v.34D no.6, 1997년, pp.43 - 49
엄금용 (성남기능대학 생산자동화학과) , 오환술 (건국대학교 전자공학과)
Tungsten poycide has studied gate oxide reliability and dielectric strength charactristics as the composition of gate electrode which applied submicron on CMOS and MOS device for optimizing gate electrode resistivity. The gate oxide reliability has been tested using the TDDB(time dependent dielectri...
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