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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D, v.34D no.11, 1997년, pp.37 - 47
최진영 (홍익대학교 전기공학과) , 임주섭 (씨앤드씨 엔지니어링)
Utilizing 2-dimensional device simulations incorporating lattic eheating models, we analyzed in detail the DC breakdown characterisics of NMOS trasistors with different structures, which are commonly used as ESD protection transistors. The mechanism leading to device failure resulting from electrost...
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