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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D, v.34D no.12, 1997년, pp.69 - 75
이찬호 (숭실대학교 전자공학과) , 김동명 (국민대학교 전자공학과)
A Si-channle MESFET using .delta.-doped layers was designed and the considerable enhancement of the current driving capability of the device was observed by simulation. The channel consists of double .delta.-doped layers separated by a low-doped spacer. Cariers are spilt from the .delta.-doped layer...
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