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$CdS/CuInSe_2$태양전지의 Window Layer로 쓰이는 CdS박막의 진공증착법에 따른 전기적.광학적 성질
Electrical and Optical Properties of Vacuum-Evaporated CdS Films for the Window Layer of $CdS/CuInSe_2$ Solar Cells. 원문보기

한국결정학회지 = Korean journal of crystallography, v.8 no.2, 1997년, pp.105 - 110  

남희동 (명지대학교 공과대학 무기재료공학과) ,  이병하 (명지대학교 공과대학 무기재료공학과) ,  박성 (명지대학교 공과대학 무기재료공학과)

초록
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CdS/CuInSe2 태양전지에서 창측재료로 1μm 두께의 CdS박막을 1x10-3mTorr의 진공하에서 CdS source 온도를 800-1100'C로 하고 기판의 온도를 50-200℃로하여 진공증차겁으로 제조하였다. 증착된 CdS박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성조사는 x-ray diffractometer(XRD), scanning electron microscope(SEM), 전기비저항 측정, Hall measurement 그리고 optical transmission spectra로 행하였고, 각막들의 성분분석은 energy dispersive analysis of X-ray (EDAX)를 가하나, 광투과도는 감소하였다. 이때 증착된 CdS 박막들은 모두 hexagonal 구조를 가지고 있었으며, 결정성은 기판유리를 딸 (002)면으로 형성되었다. CdS Source 온도가 1000℃에서 증착된 CdS 박막이 0.9(S/cm)의 가장 높은 전기 전도도를 나타내었다. 또한 기판온도를 100'C로 제조한 CdS 박막이 전기비저항은 40(Ω,cm)이었고 광투과도는 80% 이상의 값을 나타내어 CdS/CuInSe2 태양전지의 창측재료로 적합했다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

1μm-CdS films for a window layer of CdS/CuInSe2 solar cell have been prepared by vacuum of 1x10-3 mTorr. Source and substrate temperature ranges were used 800-1100'C and 50-200℃ respectively. Structural, electircal and optical properties of CdS films have been investigated by X-ray diffractometer (X...

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