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논문 상세정보

MQW electroabsorption modulator integrated with a tapered waveguide vertical interconnect

Abstract

The integration of a GaAs/AlGaAs multi-quantum well electroabsorption modulator and a tapered waveguide vertical direction optical interconnect has been performed without the complicated regrowth process. Zn impurity-induced layer disordering of MQW layer is used to achieve the energy transfer between SQW and MQW regions. Light coupled into a SQW region was transferred to an MQW region and an intensity modulation of 10 dB extinction ratio was demonstrated.

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참고문헌 (7)

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