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TIS 방법을 이용한 유전체 고반사 거울의 산란 측정
Scattering measurement of dielectric high reflection mirrors by TIS method 원문보기

한국광학회지 = Korean journal of optics and photonics, v.8 no.4, 1997년, pp.283 - 290  

조현주 (인하대학교 물리학과) ,  박흥진 (인하대학교 물리학과) ,  황보창권 (인하대학교 물리학과) ,  문환구 (아주대학교 시스템공학과) ,  김진태 (고등기술연구원 정보통신연구실) ,  손승현 (고등기술연구원 정보통신연구실) ,  이재철 (아주대학교 시스템공학과)

초록
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진공 증착법으로 수정 기판 위에 증착된 유전체 고반사 다층 박막의 산란을 TIS 방법을 이용하여 측정하였다. 기판온도 250~300.deg. C에서 증착한(Ta$_{2}$O$_{5}$/SiO$_{2}$) 다층 박막의 산란율은 0.048~0.050%이며 300.deg. C에서 4시간 열처리에 의하여 영향을 받지 않았다. 기판온도 250.deg. C에서 증착한 (TiO$_{2}$/SiO$_{2}$) 다층 박막의 산란율은 0.029%이며 열처리에 의하여 심한 인장 응력을 받았다. 두 다층 박막의 표면 거칠기는 거의 차이가 없었고 Ta$_{2}$O$_{5}$ 박막의 기둥이 TiO$_{2}$ 박막보다 작고 조밀도는 (Ta$_{2}$O$_{5}$/SiO$_{2}$) 다층 박막이 큰 것을 알 수 있었다. (Ta$_{2}$O$_{5}$/SiO$_{2}$) 다층 박막의 산란율이 큰 것은 Ta$_{2}$O$_{5}$ 박막이 더 조밀하고 기둥 크기가 작으므로 박막 내에 기둥 수가 증가하여 체적 산란이 증가하였기 때문인 것으로 판단된다. 것으로 판단된다.

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Scattering measurement on high reflection dielectric multilayer mirrors deposited on quartz substrate in a vacuum chamber were performed using a total integrated scattering method. Scattering of (Ta$_2$$O_5$/SiO$_2$) multilayer mirrors deposited at 250-30$0^{\ci...

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