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Thin Oxide 불량에 미치는 Czochralski Si 웨이퍼의 미소결함의 영향

The Effect of the Microdefects in Czoscralski Si wafer on Thin Oxide Failures

요업학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society v.34 no.7 , 1997년, pp.699 - 702  
박진성 (조선대학교 재료공학과 ) ;  이우선 ( 조선대학교 전기공학과 ) ;  김갑식 ( 영흥개발 부설 연구소 ) ;  문종하 ( 전남대학교 무기재료공학과 ) ;  이은구 ( 조선대학교 재료공학과)
Abstract

The cross sectional image of thin oxide failure of MOS device could be observed by Emission Microscope and Focused Ion Beam at the weak point. The oxide failures in low electric field was associated with the presence of a particle or abnormal pattern. The failures occuring at medium field are related to a pit of Si substrate. The pits could be originated from the microdefects of Cz Si wafer.

주제어

#Cz wafer   #Thin Oxide   #Failure Analysis   #Si microdefect  

저자의 다른 논문

박진성(69) 이우선(255) Moon, Jong Ha(53) 이은구(50)

참고문헌 (6)

  1. The Use of Light Emission in Failure Analysis of CMOS ICs , C.F. Hawkins;J.M.Sonde;E. I. Cole Jr.;E.S.Snyder , Proc. Int. Symp. Testing and Failure Analysis / v.,pp.55-59, 1990
  2. Effect of SC1 process on Silicon Surface Microroughness and Oxide Breakdown Characteristics , K. Akiyama;N.Naito;M.Nagamori;H.Koya;E.Morita;K.Sassa;H. Suga , Jpn. J. Appl. Phys. / v.34,pp.L153-L155, 1995
  3. Degradation of Gate Oxide Integrity by Metal Impurity , K.Hiyamoto;M. Sano;S. Sadamitsu;N. Fujino , Jpn. J. Appl. Phys. / v.28,pp.L2109-L2111, 1989
  4. Electrical Properties of Ultrathin Silicon Oxide Films , A. Ishitani;M.Tsukiju;E.Hasegawa;A. Oshiyama , 10th Workshop on ULSI Ultra Clean Technology / v.,pp.33-51, 1991
  5. Failure Analysis of Thin Oxide by EMMI and FIB , J.S.Park;E.G.Lee;H.G.Lee;S.W.Lee , kor. J. Materials Research / v.6,pp.605-609, 1996
  6. Thin Oxide Reliability , C. Hu , Tech. Dig. of IEDM / v.,pp.363-371, 1985

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