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논문 상세정보

승화법에 의한 6H-SiC 단결정 성장 : (II) 내부 결함 해석

6H-SiC single crystal growth by the sublimation method : (II) the analysis of internal defects

초록

다양한 미세결함분석기술(OM, TEM, AFM)을 이용하여 승화법에 의해서 성장된 6H-Sic 단결정 wafer의 내부미소결함을 분석하였다. Wafer내부에는 6각판상헝의 석출물 및 micropipes들이 독립적으로 혹은 혼합적으로 존재하고 있음이 확인되었고, TEM 분석에 의한 비정질상의 검출로 이들은 불안정한 결정성장 인자나 비화학양론적 $Si_{1-x}_xC_x$ 화합물 형성에 기인한다는 사실을 확인하였다.

Abstract

The micro-defects in the SiC single crystals were characterized using a variety of the microscopic techniques (OM, TEM, AFM). It was observed that the hexagonal-plate precipitates and the longitudinal micropipes are present inside of SiC wafers. TEM results exhibited that there are amorphous phase in the SiC wafer and the phase were originated from the formation of the nonstoichiometric $Si_{1-x}_xC_x$ phases during growth process.

참고문헌 (0)

  1. 이 논문의 참고문헌 없음

이 논문을 인용한 문헌 (1)

  1. 김화목, 오근호 1998. "SiC 단결정내의 결함 억제" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, 8(1): 29~35 

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