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승화법에 의한 6H-SiC 단결정 성장 : (II) 내부 결함 해석
6H-SiC single crystal growth by the sublimation method : (II) the analysis of internal defects 원문보기

한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.7 no.2, 1997년, pp.191 - 196  

김화목 (한양대학교 세라믹공학과) ,  강승민 (영도기술연구소) ,  주경 (영도기술연구소) ,  심광보 (한양대학교 세라믹공학과) ,  오근호 (한양대학교 세라믹공학과)

초록
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다양한 미세결함분석기술(OM, TEM, AFM)을 이용하여 승화법에 의해서 성장된 6H-Sic 단결정 wafer의 내부미소결함을 분석하였다. Wafer내부에는 6각판상헝의 석출물 및 micropipes들이 독립적으로 혹은 혼합적으로 존재하고 있음이 확인되었고, TEM 분석에 의한 비정질상의 검출로 이들은 불안정한 결정성장 인자나 비화학양론적 $Si_{1-x}_xC_x$ 화합물 형성에 기인한다는 사실을 확인하였다.

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The micro-defects in the SiC single crystals were characterized using a variety of the microscopic techniques (OM, TEM, AFM). It was observed that the hexagonal-plate precipitates and the longitudinal micropipes are present inside of SiC wafers. TEM results exhibited that there are amorphous phase i...

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