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NTIS 바로가기한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.7 no.3, 1997년, pp.393 - 399
김화목 (한양대학교 세라믹공학과) , 임창성 (한양대학교 세라믹공정연구센터) , 오근호 (한양대학교 세라믹공학과)
H-SiC single crystals were successfully grown by the sublimation method and the optimum growth conditions were established. The grown SiC crystals were about 33 mm in diameter and 11 mm in length. The micropipe density of the polished SiC wafers was 400/
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