$\require{mediawiki-texvc}$
  • 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
  • 검색연산자
검색연산자 기능 검색시 예
() 우선순위가 가장 높은 연산자 예1) (나노 (기계 | machine))
공백 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 예1) (나노 기계)
예2) 나노 장영실
| 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 예1) (줄기세포 | 면역)
예2) 줄기세포 | 장영실
! NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 예1) (황금 !백금)
예2) !image
* 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 예) semi*
"" 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 예) "Transform and Quantization"
쳇봇 이모티콘
안녕하세요!
ScienceON 챗봇입니다.
궁금한 것은 저에게 물어봐주세요.

논문 상세정보

비정질 $(Ba, Sr)TiO_3$층의 도입을 통한 $(Ba, Sr)TiO_3$박막의 특성 향상

The improvement in the properties of $(Ba, Sr)TiO_3$films by the application of amorphous layer

초록

$RuO_2$ 하부전극 상에 형성된 $(Ba, Sr)TiO_3$[BST] 박막의 물성을 향상시키기 위하여 비정질 BST층(30, 70nm)을 $RuO_2$와 BST사이에 증착하여 2중 BST구조를 형성시켰다. 비정질 BST층의 도입을 통해, BST박막의 평균 입도가 증가하고, 표면 거칠기가 감소하여 전체 BST 박막의 미세구조와 표면 mophology가 단일 BST박막에 비해 상당한 변화가 발생함을 확인하였다. 30nm의 비정질측이 적용된 BST박막의 경우, 하부기판의 영향으로부터 비교적 자유로운 미세구조를 갖는 BST 박막이 형성되었다. 2중 BST 박막의 경우 유전상수는 340, 누설전류는 $6.85{\times}10^{-7}A/{\textrm}{cm}^2$로서 비정질층을 갖지 않는 단일 BST 박막에 비하여(유전상수: 152, 누설전류: $1.25{\times}10^{-5}A/{\textrm}{cm}^2$)놀라운 전기적 특성의 향상이 이루어짐을 확인하였다.

Abstract

Amorphous (Ba, Sr)$TiO_3$[BST] layer(30, 70 nm) was introduced between crystalline BST and $RuO_2$electrode to realize double-layered BST structure in order to improve the properties of BST film. The structure and surface morphology of double-layered BST film were modified by the application of amorphous BST layer; that is, surface became smoother and grain size increased abruptly. Amorphous layer thicker than 30 nm was effective to hinder the influence of $RuO_2$surface on the structure of as-grown BST films by in-situ process. Dielectric constant of double-layered BST film was improved dramatically from 152 to 340 and leakage current was lowered from $1.25{\times}10^{-5}A/{\textrm}{cm}^2);to;6.85{\times}10^{-7}A/{\textrm}{cm}^2$, respectively.

참고문헌 (11)

  1. T. Kawahara;M. Yamamuka;T. Makita;J. Naka;A. Yuuki;N. Mikami;K. Ono , Jpn. J. Appl. Phys. / v.33,pp.5129, 1994
  2. Q.X. Jia;A.T. Findikoglu;R. Zhou;S.R. Foltyn;X.D. Wu , Proc. 8th Intr. Symp. Integrated Ferroelectrics / v.14,pp.167, 1997
  3. W. Pan;S.B. Desu , J. Vac. Sci. Technol. / v.B12,pp.3208, 1994
  4. T.S. Chen;V. Balu;B. Jiang;S. Kuah;J.C. Lee;P. Chu;R.E. Jones;P. Zurcher;D.J. Taylor;S. Gillespie , Proc. 8th. Intr. Symp. Integrated Ferroelectrics / v.16,pp.191, 1997
  5. L. Jursin-Elbaum;M. Wittmer , J. Electrochem. Soc. / v.135,pp.2610, 1988
  6. S.C. Sun;M.S. Tsai , 1997 International Electron Devices Meeting / v.,pp.253, 1997
  7. D.K. Choi;J.Y. Choi;J.H. Won;S.H. Paek , Mat. Res. Soc. Symp. Proc. / v.433,pp.45, 1996
  8. M. Izuha;K. Abe;N. Fukushima , Jpn. J. Appl. Phys. / v.36,pp.5866, 1997
  9. D.H. Kwak;B.T. Jang;S.Y. Cha;S.H. Lee;H.C. Lee;B.G. Yu , Proc. 8th Intr. Symp. Integrated Ferroelectrics / v.13,pp.121, 1997
  10. S.H. Paek;J.W. Won;K.S. Lee;J.S. Choi;C.S. Park , Jpn. J. Appl. Phys. / v.35,pp.5757, 1996
  11. H.N. Al-Shareef;K.D. Gifford;P.D. Hren;S.H. Rou;O. Auciello;A.I. Kingon , Proc. 4th Intr. Symp. Integrated Ferroelectrics / v.,pp.187, 1992

이 논문을 인용한 문헌 (0)

  1. 이 논문을 인용한 문헌 없음

원문보기

원문 PDF 다운로드

  • ScienceON :

원문 URL 링크

  • 한국결정성장학회 : 저널

원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다. (원문복사서비스 안내 바로 가기)

상세조회 0건 원문조회 0건

DOI 인용 스타일