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논문 상세정보

실리콘 단결정내의 grown-in 결함 분포에 관한 고찰

Investigation of growth-in defects distribution in Si single crystal

초록

초크랄스키로 성장한 Si 단결정에서 결정 성장 속도를 달리한 sample을 이용하여 COP, FPD 및 LSTD등의 grown-in 결함 밀도와 한 웨이퍼 내에서의 분포를 정확하게 측정하여 이들 결함들간의 상호 관계를 고찰하였다. 이들 결함의 밀도와 한 웨이퍼 내에 발생하는 영역의 크기는 결정 성장 속도가 빠를수록 증가하였다. 또한 한 웨이퍼 내에서 이들 결함의 발생 영역이 일치하는 것으로 보아 이들 결함은 동일한 origin에 의해 생성된 것으로 판단된다.

Abstract

The relationship of growth-in defects such as crystal originated particles (COP), flow pattern defects(FPD), laser scattering tomography defects (LSTD) was investigated in Cz-Si single crystals which had different pulling speed during crystal growing. It is concluded that the density and radial distribution of grown-in defects is strongly dependent on the pulling speed. And as the generation areas of these grown-in defects in a wafer are identical in radial position, they can be generated from same origin during crystal growing.

참고문헌 (13)

  1. T. Iwasaki;Y. Tsumori;K. Nakai;H. Haga , J. Electrochem. Soc. / v.143,pp.3383, 1996
  2. Y. Yanase;T. Ono;T. Kitamura;H. Horie;T. Ochiai;S. Okamoto;H. Tsuya , Jpn. J. Appl. Phys. / v.36,pp.6200, 1997
  3. M. Kato;T. Yoshida;Y. Ikeda;Y. Kitagawara , Jpn. J. Appl. Phys. / v.35,pp.5597, 1996
  4. S. Umeno;M. Okui;M. Hourai;M. Sano;H. Tsuya , Jpn. J. Appl. Phys. / v.36,pp.L591, 1997
  5. H. Deal;T. Iwasaki;Y. Ikematsu;K. Kawakami;H. Harada;A. Matsumura , Jpn. J. Appl. Phys. / v.35,pp.L1476, 1997
  6. K. Harada;H. Furura;M. Kida , Jpn. J. Appl. Phys. / v.36,pp.3366, 1997
  7. J.G. Park;J.K. Jung;K.C. Cho;G.A. Rozgonyi , Material Science Forum / v.196-201,pp.1697, 1995
  8. Defect Engineering in Semiconductor Growth , H. Takeno;S. Ushio;T. Takenaka;S.Ashok(ed.);Y. Chevallier(ed.);K. Kusimo(ed.);E. Weber(ed.) , Processing and Technology / v.,pp.51, 1992
  9. S. Oka;M. Katayama , Jpn. J. Appl. Phys. / v.36,pp.1995, 1997
  10. K. Takano;M. Iida;E. Iino;M. Kimura;H. Yamagishi , J. Crystal Growth / v.180,pp.363, 1997
  11. M. Miyazaki;S. Miyazaki;T. Kitamura;Y. Yanase;T. Ochiai;H. Tsuya , Jpn. J. Appl. Phys. / v.36,pp.6187, 1997
  12. J.G. Park;J.M. Park;K.C. Cho;G.S. Lee;H.K. Chung;M. Umemo(ed.) , Proc. 2nd Int. Symp. Advanced Science and Technology of Silicon Materials / v.,pp.519, 1996
  13. V.V. Voronkov;R. Falster;J.C. Holzer;B.O. Kolbesen(ed.);P. Stallhofer(ed.);C. Claeys(ed.);F. Tardiff , Proc. Symp. Crystalline Defects and Contamination: There Impact and Control in Device Manufacturing Ⅱ / v.,pp.3, 1997

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