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직류 반응성 sputtering법으로 제막된 ZnO:Al 박막의 물성에 미치는 증착조건 및 타겟의 영향

Effect of sputtering parameters and targets on properties of ZnO:Al thin films prepared by reactive DC magnetron sputtering

한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.8 no.4, 1998년, pp.592 - 598  

유병석 (한양대학교 무기재료공학과) ,  오근호 (한양대학교 무기재료공학과)

초록
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ZnO($Al_2O_3\;2%$ 2% doped) 산화물 타겟과 금속 Zn(Al 2% doped) 타겟을 사용하여 반응성 직류 마그네트론 스퍼터링법으로 산소 가스 및 인가 전력을 조절하면서 AZO(Aluminum doped Zine Oxide) 막을 증착하였다. 비저항과 평균 투과율을 고려할 때 최적의 투명전도성을 보이는 조건은 산화물 타겟의 경우 산소가스의 비가 $0.5{\times}10^{-2}~1.0{\times}10^{-2}$범위이며, 금속 타겟의 경우 인가전력 0.6kW에서는 0.215~0.227, 1.0kW에서는 0.305~0.315이었다. 각 최적조건에서 제막된 AZO 막의 비저항은 $1.2~1.4{\times}10^{-3} {\Omega}{\cdot}cm$cm으로 타겟에 의한 차이는 없었다.

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AZO(Aluminum doped Zinc Oxide) thin films were fabricated by reactive DC magnetron sputtering method using zinc metal target (Al 2%) and zinc oxide target ($Al_2O_3\;2%$) respectively. The intermediate condition with optimum transmittance and conductivity was obtained by controlling the s...

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