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$CoSi_{2}$ 에피박막을 확산원으로 이용하여 형성한 매우 얇은 접합의 전기적 특성
Electrical properties of Ultra-Shallow Junction formed by using Epitaxial $CoSi_{2}$ Thin Film as Diffusion Source 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.8 no.5, 1998년, pp.470 - 473  

구본철 (수원대학교 전자재료공학과) ,  심현상 (수원대학교 전자재료공학과) ,  정연실 (수원대학교 전자재료공학과) ,  배규식 (수원대학교 전자재료공학과)

초록
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Co/Ti 이중막을 급속열처리하여 형성한 $CoSi_{2}$에 $As^+$을 이온주입한 후, 500~$1000^{\circ}C$에서 drive-in 열처리하여 매우얇은 $n_{+}$ p접합의 다이오드를 제작하고 I-V 특성을 측정하였다. $500^{\circ}C$에서 280초 drive-in 열처리하였을 때, 50nm정도의 매우 얇은접합이 형성되었고, 누설전류가 매우 낮아 가장 우수한 다이오드 특성을 나타내었다. 특히, Co 단일막을 사용한 다이오드에 비해 누설전류는 2order 이상 낮았으며, 이는 $CoSi_{2}$Si의 계면이 균일하였기 때문이다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

$As^+$ was ion-implanted onto $CoSi_{2}$ thin films formed by rapidly thermal-annealed Co/Ti bilayers. Then the specimens were drive-in annealed at 500~100$0^{\circ}C$ to form ultra-shallow $n^+$p junction diodes and to measure their 1- V characteristics. ...

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