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Raman 분광법에 의한 GaN OMVPE 전구체들의 열분해에 관한 연구

Investigation of the pyrolysis of GaN OMVPE precursors by Raman spectroscopy

한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.10 no.2, 2000년, pp.116 - 121  

이순애 (영남대학교 응용화학공학부) ,  김유택 (경기대학교 첨단산업공학부) ,  신무환 (명지대학교 무기재료공학과) ,  신건철 (강원대학교 재료공학) ,  박진호 (영남대학교 응용화학공학부)

초록
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도립형 OMVPE 반응기 내부의 기상 온도분포와 OMVPE 전구체들의 농도분포를 in-situ Raman 분광법으로 조사하였다. 운반기체의 회전 Raman 스펙트럼 분석을 통해 반응기 내부의 온도 분포를 측정하였고, 기판 근처에 수직적 온도 구배가 형성됨을 확인할 수 있었다. 또한 진동 Raman 스펙트럼 해석으로부터 전구체의 열분해도를 관찰살 수 있었다. $NH_3$의 경우 800 K 근처에서, TMGa의 경우 650 K 근처에서 열분해가 시작됨을 알 수 있었고, 기판에 매우 근접한 지역에서도 상당량의 전구체가 분해되지 않은 상태로 잔류함을 알 수 있었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The temperature profiles of gas phase and the concentration profiles of GaN precursors in an inverted OMVPE reactor have been carried out by in-situ Raman spectroscopy. Pure rotational Raman scattering from the carrier gas (rd) was used to determine the temperature profiles in the reactor, and a lar...

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구는 GaN OMVPE 반응기 내부의 축 중심 온도분포와 전구체의 열분해를 in-situ Raman 분광법을 사용하여 조사한 것이다. 운반기체(N>의 진동 Raman 스펙트럼을 통해 기판으로부터 약 4mm 이내에 수직적 온도구배가 형성됨을 관찰하였으며, 진동 Raman 스펙트럼 해석으로부터 전구체들의 열분해도 를 조사하였다 .
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