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NTIS 바로가기한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.10 no.2, 2000년, pp.116 - 121
이순애 (영남대학교 응용화학공학부) , 김유택 (경기대학교 첨단산업공학부) , 신무환 (명지대학교 무기재료공학과) , 신건철 (강원대학교 재료공학) , 박진호 (영남대학교 응용화학공학부)
The temperature profiles of gas phase and the concentration profiles of GaN precursors in an inverted OMVPE reactor have been carried out by in-situ Raman spectroscopy. Pure rotational Raman scattering from the carrier gas (rd) was used to determine the temperature profiles in the reactor, and a lar...
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