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저압 화학증착법에 의한 대면적 SiC 후막의 증착
Deposition of Large Area SiC Thick Films by Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) Method 원문보기

한국세라믹학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society, v.38 no.5 = no.228, 2001년, pp.485 - 491  

김원주 (한국원자력연구소 기능성재료분야) ,  박지연 (한국원자력연구소 기능성재료분야) ,  김정일 (한국원자력연구소 기능성재료분야) ,  홍계원 (한국원자력연구소 기능성재료분야) ,  하조웅 (이노쎄라(주))

초록
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일반 산업 및 원자력 관련 산업용 구조소재의 표면특성 향상을 위해 저압 화학기상 증착법에 의해 15~25cm 직경의 흑연기판 위에 고순도의 치밀한 SiC 증착층을 제조하였다. 미세구조와 두께가 균일한 증착층을 얻기 위하여 증착온도의 균일성, 반응가스 고갈효과, 가스 흐름 형태 등의 영향을 고려하였다. 이중에서 반응 용기내의 가스 흐름 형태가 증착층의 균일도에 가장 큰 영향을 주는 것으로 판단되었으며 가스 주입구의 위치와 크기를 조정함으로써 25cm의 직경을 갖는 흑연 기판에 두께 편차가 $\pm$12% 이내인 SiC 증착막을 제조할 수 있었다.

주제어

#Chemical vapor deposition   #SiC   #Graphite  

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