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$CF_4$/Ar 플라즈마 내 $Cl_2$첨가에 의한 $SrBi_{2}Ta_{2}O_{9}$ 박막의 식각 특성

Etching Characteristics of $SrBi_{2}Ta_{2}O_{9}$ Thin Film with Adding $Cl_2$ into $CF_4$/Ar Plasma

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.14 no.9, 2001년, pp.714 - 719  

김동표 (중앙대학교 전기전자공학부) ,  김창일 (중앙대학교 전기전자공학부) ,  이원재 (한국전자통신연구소) ,  유병곤 (한국전자통신연구소) ,  김태형 (여주대학 전기과) ,  장의구 (중앙대학교 전기전자공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

SrBi$_2$Ta$_2$$O_{9}$ thn films were etched in inductively coupled Cl$_2$/CF$_4$/Ar plasma. THe maximum etch rate was 1060 $\AA$/min at a Cl$_2$/(Cl$_2$+CF$_4$+Ar)=0.2. The 20% additive Cl$_2$

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 따라서, 본 연구에서는 Sr의 효율적인 제거와 수직한 식각 형상을 확보하기 위하여 SBT 박막을 Cl2를 첨가한 CF4/Ar 혼합가스와 ICP 식각 장비를 이용하여 식각하였다. 식각 형상의 변화는 SEM (scanning electron microscopy)을 이용하여 관찰하였고, 식각된 시료 표면에서의 화학적인 결합 상태를 관찰하기 위하여 XPS (x-ray photoelectron spectroscopy )분석과 SIMS (secondary ion mass spectrometry) 분석을 수행하였다.
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