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Mumetal 박막의 성장온도가 유도자기이방성에 미치는 영향
Effect of the Growing Temperature on the Induced Anisotropy of Mumetal Thin Film 원문보기

韓國磁氣學會誌 = Journal of the Korean Magnetics Society, v.12 no.2, 2002년, pp.46 - 50  

이영우 (충남대학교 재료공학과) ,  김철기 (충남대학교 재료공학과) ,  김종오 (충남대학교 재료공학과)

초록
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110$\AA$ 두께의 Mumetal 박막을 자기장하에서 기판온도를 변화시키면서 제작하고, 고진공 분위기에서 자기장중 열처리를 수행하였다. 박막에 유도되는 자기이방성은 인가자기장 방향에서 30$^{\circ}$간격으로 180$^{\circ}$까지 자기이력곡선을 측정하여 조사하였다. 기판 온도가 증가할수록 용이축 방향의 보자력은 감소하였으나 일축이방성은 인가자기장 방향에서 벗어났다. 20$0^{\circ}C$에서 한 시간 동안 자기장중 열처리를 수행하면 기판온도에 상관없이 일축이방성이 향상되었다. 기판온도가 5$0^{\circ}C$ 이하일때 4.3 Oe의 이방성 자기장을 나타냈으며 기판온도가 증가할수록 이방성 자기장은 감소하였다. Mumetal 박막의 일축이방성은 열처리 전후 모두 5$0^{\circ}C$에서 가장 잘 유도되었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Soft magnetic Mumetal thin film was fabricated under magnetic field at various substrate temperatures. High vacuum annealing was carried out at 200$\^{C}$ during 1 hr. The in-plane anisotropy of Mumetal thin film was determined from hysteresis loops measured by VSM when the sample axis va...

주제어

참고문헌 (6)

  1. Kao, A.S., Kasiraj, P.. Effect of magnetic annealing on plated permalloy and domain configurations in thin-film inductive head. IEEE transactions on magnetics, vol.27, no.6, 4452-4457.

  2. Funaki, Hiroshi, Okamoto, Satoshi, Osamu Kitakami, Yutaka Shimada. Improvement in Magnetoresistance of Very Thin Permalloy Films by Post-Annealing. Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters, vol.33, no.b9, L1304-.

  3. Masahiro, K., Kazuhiro, Y.. The effect of annealing on the magnetic properties of permalloy films in permalloy-Ta bilayers. Journal of magnetism and magnetic materials, vol.147, no.1, 213-220.

  4. Tanaka, T., Kobayashi, I., Takahashi, M., Wakiyama, T.. Anisotropic magnetoresistance and Hall effects for Ni-Fe-M alloy thin films. IEEE transactions on magnetics, vol.26, no.5, 2418-2420.

  5. 10.1063/1.348252 

  6. Gallagher, W. J., Parkin, S. S. P., Lu, Yu, Bian, X. P., Marley, A., Roche, K. P., Altman, R. A., Rishton, S. A., Jahnes, C., Shaw, T. M., Xiao, Gang. Microstructured magnetic tunnel junctions (invited). Journal of applied physics, vol.81, no.8, 3741-3746.

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