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NTIS 바로가기ETRI journal, v.26 no.6, 2004년, pp.575 - 582
Park, Chang-Hyun (System LSI Division, Samsung Electronics) , Oh, Myung-Hwan (System LSI Division, Samsung Electronics) , Kang, Hee-Sung (System LSI Division, Samsung Electronics) , Kang, Ho-Kyu (System LSI Division, Samsung Electronics)
Fully-depleted silicon-on-insulator (FD-SOI) devices with a 15 nm SOI layer thickness and 60 nm gate lengths for analog applications have been investigated. The Si selective epitaxial growth (SEG) process was well optimized. Both the single- raised (SR) and double-raised (DR) source/drain (S/D) proc...
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