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문제 정의
- 2차원전자가스(2-DEG)를 더욱 활성화시키고 양자우물(Quantum well)의 깊이를 더욱 깊게 하기 위해 본 논문에서는 델타도핑(认doping)을 한 HEMT소자를 제안한다. 그림 1은 델타 도핑된 HEMT소자의 단면도와 밴드다이 어그램을 나타내 었다.
- 이러한 해석적 모델의 정확성은 HEMT소자에서 나타나는 물리적 현상들의 정확한 고찰이 필요하게되고 여러 가지전자에 대한 역 할을 포함하는 DC 특성에 대한 구체화된 모델링이 요구된다. 본 논문에서는 이러한 모델링에 적합한 델타도핑된 n-AlGaAs/GaAs HEMT 에서의 AlGaAs 영역 내 전위분포를 2차원적으로 도출하는 모델링 과정을 주목표로 하였다. 본 논문의 구성은 우선 표동 전류에 의한 전위 분포를 설정하고 구간별 전위분포를 설정한 다음 기본 이론들을 활용하여 AlGaAs층의 전자농도를 고려한 완전 이온화(complete ionization) 된 1차원 포아송(Poisson) 방정식으로 전위분포 식을 유도한 후 GCA(gradual channel approximation)으로 무시되었던 항을 넣고 수식화하여 2-DEG(2-dimensional electron gas)의 전자밀도를 구하고 전자의 포화 속도를 고려한 2차원 Poisson 방정식의 해를 구해드레인 전류를 구하였다 [1, 2], 결론에서는 이러한 이론들로 구성되어 유도된 수식을 시뮬레이션하고 연구 결과를 나타내고 앞으로의 연구과제와 발전 방향을 제시하고 결론을 내렸다.
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