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NTIS 바로가기전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문, v.53 no.11, 2004년, pp.561 - 565
유도현 (안산공과대학 전기과)
SiO₂ thin films are fabricated using sol-gel method and dipping method. Gelation time is faster according to increasing the amount of H₂O except H₂O/Si(OC₂H/sub 5/)₄=4. Initial viscosity is highest at H₂O/Si(OC₂H/sub 5/)₄=6. Gelation time is faster according to increasing the amount of CH₃COOH. The ...
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