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NTIS 바로가기반도체및디스플레이장비학회지 = Journal of the semiconductor & display equipment technology, v.4 no.3 = no.12, 2005년, pp.1 - 4
조유정 (한국기술교육대학교 신소재공학과) , 한길진 (한국기술교육대학교 신소재공학과) , 김영철 (한국기술교육대학교 신소재공학과) , 서화일 (한국기술교육대학교 정보기술공학부)
Silicon oxynitride films were deposited using ammonia as a nitrogen source via PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) to study the physical properties of the films. Silane and nitrous oxide were used as silicon and oxygen sources, respectively. The composition of the silicon oxynitride fi...
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