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논문 상세정보

Low-Temperature Growth of $SiO_2$ Films by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition

ETRI journal v.27 no.1 , 2005년, pp.118 - 121  
Abstract

Silicon dioxide ($SiO_2$) films prepared by plasma-enhanced atomic-layer deposition were successfully grown at temperatures of $100\;to\;250^{\circ}C$, showing self-limiting characteristics. The growth rate decreases with an increasing deposition temperature. The relative dielectric constants of $SiO_2$ films are ranged from 4.5 to 7.7 with the decrease of growth temperature. A $SiO_2$ film grown at $250^{\circ}C$ exhibits a much lower leakage current than that grown at $100^{\circ}C$ due to its high film density and the fact that it contains deeper electron traps.

참고문헌 (12)

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  10. Investigation of a Two-Layer Gate Insulator Using Plasma-Enhanced ALD for Ultralow Temperature Poly-Si TFTs , Lim, J.W.;Yun, S.J.;Kim, Y.H.;Sohn, C.Y.;Lee, J.H. , Electrochem. Solid-State Lett. / v.7,pp.G185-G187, 2004
  11. Atomic Layer Deposition of Zirconium Titanium Oxide from Titanium Isopropoxide and Zirconium Chloride , Rahtu, A.;Ritala, M.;Leskela, M. , Chem. Mater. / v.13,pp.1528-1532, 2001
  12. Characteristics of $ZrO_2$ Gate Dielectric Deposited Using Zr tbutoxide and $Zr(NEt_2)_4$ Precursors by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition Method , Kim, Y.;Koo, J.;Han, J.;Choi, S.;Jeon, H.;Park, C.G. , J. Appl. Phys. / v.92,pp.5443-5447, 2002

이 논문을 인용한 문헌 (1)

  1. Kim, Young-Keun ; Kwon, Kwang-Ho 2011. "A Study of Al2O3 Thin Films Etching Characteristics Using Inductively Coupled BCl3/Ar Plasma" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, 24(6): 445~448 

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