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Hot Carrier 현상에 의한 Bulk DTMOS의 RF성능 저하
The RF performance degradation in Bulk DTMOS due to Hot Carrier effect 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.42 no.2 = no.332, 2005년, pp.9 - 14  

박장우 (시립인천대학교 전자공학과) ,  이병진 (시립인천대학교 전자공학과) ,  유종근 (시립인천대학교 전자공학과) ,  박종태 (시립인천대학교 전자공학과)

초록
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본 논문에서는bulk dynamic threshold voltage MOSFET(B-DTMOS)와 bulk MOSFET(B-MOS)에서 hot carrier 현상으로 인한 RF 성능 저하를 비교하였다. Normal 및 moderate 모드에서 B-DTMOS의 차단주파수 및 최소잡음지수의 열화가 B-MOS 소자 보다 심하지 않음을 알 수 있었다. 실험 견과로부터 hot carrier에 의한 RF 성능 저하가 DC 특성 열화 보다 심함을 알 수 있었다. 그리고 처음으로 hot carrier 현상으로 인한 B-DTMOS 소자의 RF 전력 특성 저하를 측정하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper reports the hot carrier induced RF performance degradation of bulk dynamic threshold voltage MOSFET (B-DTMOS) compared with bulk MOSFET (B-MOS). In the normal and moderate mode operations, the degradations of cut-off frequency $(f_{T})$ and minimum noise figure $(F_{min})$...

주제어

#Dynamic Threshold Voltage MOSFET   #Bulk MOSFET   #Hot carrier effects   #RF performance   #Device degradation  

참고문헌 (16)

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