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논문 상세정보


In this paper, we developed a pressure measurement apparatus with the parallel structure to improve the measurement efficiency of pressure sensors by reducing the measurement time of pressure. The developed system has two parallel positions for loading Silicon pressure sensor and has a dual valve structure. The semiconductor pressure sensors prepared by Copal Electronics were used to confirm the performance of the developed measurement system. Two stage differential amplifier circuit was employed to amplify the weak output signal and the amplified output signal was improved utilizing a low-pass filter. New apparatus shows the measurement time of pressure two times shorter than that of conventional one with the serial structure, while both structures show the similar linear output versus pressure characteristics.

참고문헌 (7)

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  3. G. Kaltsas, D. Goustouridis, A. G. Nassiopoulou, and D. Tsoukalas, 'Combination of integrated thermal flow and capacitive pressure sensors for high sensitivity flow measurements in both laminar and turbulent regions', J. of Physics, Conference Series, Vol. 10, p. 277, 2005 
  4. A. Druzhinin, E. Lavitska, and I. Maryamova, 'Medical pressure sensors on the basis of silicon microcrystals and SOI layers', Sensors and Actuators B, Vol. 58, p. 415, 1999 
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  6. H. Tanigawa, T. Ishihara, M. Hirata, and K. Suzuki, 'MOS integrated silicon pressure sensor', IEEE T-ED, Vol. ED-32, No. 7, p. 1191, 1985 
  7. V. Voronin, I. Maryamova, and Y. Zaganyachi, 'Silicon whiskers of mechanical sensors', Sensors and Actuators, Vol. A30, p. 27, 1992 

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