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탄소밀도의 변화가 SiOC 박막의 결합구조에 미치는 영향
The various bonding structure of SiOC thin films attributed to the carbon density 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.43 no.5 = no.347, 2006년, pp.11 - 16  

오데레사 (청주대학교 전자정보공학부)

초록
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본 연구는 SiOC 박막의 비정질 정도와 유전상수와의 상관성에 관하여 정리하고 있다. 고밀도 플라즈마 CVD 방법에 의해 증착된 SiOC 박막은 bistrimethyl- silylmethane와 산소가 혼합된 개스 소스의 유량비를 다르게 하였다. 증착된 박막과 $400^{\circ}C$ 열처리된 박막은 XRD분석방법을 적용하여 비정질도를 유추하였다. 적량분석을 위해서 각 시료들의 회절패턴을 푸리에 해석에 의해 동경분포함수로 변환하고 비교하였다. 열처리한 박막의 비정질도는 증착한 박막에 비하여 결정도가 높았다. 유량비에 따라서 유전상수가 변하였으며, 유전상수는 열처리 후 비정질도가 가장 큰 박막에서 가장 낮게 나타났다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper reports the correlation between dielectric constant and degree of amorphism of the hybrid type SiOC thin films. SiOC thin films were deposited by high density plasma chemical vapor deposition using bistrimethyl- silylmethane(BTMSM,$H_{9}C_{3}-Si-CH_{2}-Si-C_{3}H_{9}$) and oxyge...

주제어

#SiOC 절연막  

AI 본문요약
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제안 방법

  • BTMSM : 02 의 유량비를 각각 달리하여 박막이 증착되었으며, 열처리는 진공상태에서'400℃에서 30분간 이루어졌다. 박막의 특성은 XRD를 이용하여 서로 다른 회절 패턴을 얻고 난 후 Fourier 변환을 통하여 그림 1의 순서도와 같이 구하였다. 유전상수는 MIS(Al/SiOC film/p-Si) 구조를 이용한 C-V측정을 통하여 구하였다.
  • 박막의 특성은 XRD를 이용하여 서로 다른 회절 패턴을 얻고 난 후 Fourier 변환을 통하여 그림 1의 순서도와 같이 구하였다. 유전상수는 MIS(Al/SiOC film/p-Si) 구조를 이용한 C-V측정을 통하여 구하였다.
  • 비 결정질 구조의 박막에 대한 XRD 패턴은 그 자체로는 별 의미가 없으며, 동경분포함수를 이용하여 퓨리에 변환하면 박막의 비정질 도를 알 수 있으며, 박막의 비 결정성에 대한 분석을 가능하게 하는 유용한 해석법으로 알려져 있다. 이번 실험에서는 SiOC박막이 organic, hybrid, inorganic type 등 3가지 특성을 나타내는 것에 대하여 각가의 비정질 도를 유도해내고 유전상수와의 상관관계에 대하여 비교 분석하였다.
  • 탄소가 많은 경우 pore를 포함한 Si-O-C cage link 결합의 증가에 의해 유전상수는 낮아졌고 탄소가 적은 경우는 Si-O-C cross link가 생김으로 인해서 유전 상수가 낮아지는 현상을 XRD 패턴의 Fourier 해석을 통하여 확인하였다.
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참고문헌 (13)

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  13. 진 문영, '저유전 유기고분자,' 전기전자재료학회지, Vol. 13, pp. 1-11, Oct. 2000 

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