최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기Transactions on electrical and electronic materials, v.7 no.4, 2006년, pp.180 - 183
An, Ho-Myoung (Department of Electronic Materials Enginering, Kwangwoon University) , Seo, Kwang-Yell (Department of Electronic Materials Enginering, Kwangwoon University) , Kim, Joo-Yeon (School of Electrical Engineering, Ulsan College) , Kim, Byung-Cheul (Department of Electronic Engineering, Jinju National University)
We report for the first time two-bit operational characteristics of a high-density NOR-type polysilicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) array with common source line (CSL). An undesired disturbance, especially drain disturbance, in the NOR array with CSL comes from the two-bit-per-cell operation...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
S. Minami and Y. Kamigaki, 'A novel MONOS nonvolatile memory device ensuring 10-year data retention after $10^{7}$ erase/write cycles', IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 40, No. 11, p. 2011, 1993
M. H. White, Y. Yang, A. Purwar, and M. L. French, 'A low voltage SONOS nonvolatile semiconductor memory technology', IEEE Trans. Comp. Packag. Manufact. Technol. A, Vol. 20, No.2, p. 190, 1997
B. Eitan, P. Pavan, I. Bloom, E. Aloni, A. Frommer, and D. Finzi, 'Can NROM, a 2-bit, trapping storage NVM cell, give a real challenge to floating gate cells?', Proceedings of the International Conference on Solid State Devices and Materials, p. 522, 1999
B. Eitan, P. Pavan, I. Bloom, E. Aloni, A. Frommer, and D. Finzi, 'NROM: a novel localized trapping, 2bit nonvolatile memory cell', IEEE Electron Dev. Lett., Vol. 21, No. 11, p. 543, 2000
I. Bloom, P. Pavan, and B. Eitan, ' $NROM^{TM}$ - a new non-volatile memory technology: from device to products', Microelectronic Engineering, Vol. 59, p. 213, 2001
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
Free Access. 출판사/학술단체 등이 허락한 무료 공개 사이트를 통해 자유로운 이용이 가능한 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.