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논문 상세정보

Cu CMP에서 Citric Acid가 재료 제거에 미치는 영향

Effects of Citric Acid as a Complexing Agent on Material Removal in Cu CMP

Abstract

Chemical mechanical polishing (CMP) achieves surface planrity through combined mechanical and chemical means. The role of slurry is very important in metal CMP. Slurry used in metal CMP normally consists of oxidizers, complexing agents, corrosion inhibitors and abrasives. This paper investigates the effects of citric acid as a complexing agent for Cu CMP with $H_2O_2$. In order to study chemical effects of citric acid, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was peformed on Cu sample after etching test. XPS results reveal that CuO, $Cu(OH)_2$ layer decrease but $CU/CU_2O$ layer increase on Cu sample surface. To investigate nanomechanical properties of Cu sample surface, nanoindentation was performed on Cu sample. Results of nanoindentation indicate wear resistance of Cu surface decrease. According to decrease of wear resistance on Cu surface removal rate increases from $285\;{\AA}/min\;to\;8645\;{\AA}/min$ in Cu CMP.

참고문헌 (9)

  1. 김형재, 'CMP공정에서 재료 제거 기구에 영향을 미치는 접촉 계면 특성에 관한 연구', 부산대학교 공학박사학위논문, p. 1, 2003 
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  9. J. Hernandez, P. Wrschka, and G. S. Oehrlein, 'Surface chemistry studies of copper chemical mechanical planarization', Journal of Electrochemical Society, Vol. 148, No.7, p. G389, 2001 

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