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논문 상세정보

MEMS 공정을 이용한 32x32 실리콘 캔틸레버 어레이 제작 및 특성 평가

Fabrication and Characterization of 32x32 Silicon Cantilever Array using MEMS Process

Abstract

This paper reports the fabrication and characterization of $32{\times}32$ thermal cantilever array for nano-scaled memory device applications. The $32{\times}32$ thermal cantilever array with integrated tip heater has been fabricated with micro-electro-mechanical systems(MEMS) technology on silicon on insulator(SOI) wafer using 9 photo masking steps. All of single-level cantilevers(1,024 bits) have a p-n junction diode in order to eliminate any electrical cross-talk between adjacent cantilevers. Nonlinear electrical characteristic of fabricated thermal cantilever shows its own thermal heating mechanism. In addition, n-channel high-voltage MOSFET device is integrated on a wafer for embedding driver circuitry.

참고문헌 (7)

  1. H. J. Mamin, R. P. Ried, B. D. Terris, and D. Rugar, 'High-density data storage based on the atomic force microscope', Proc. IEEE, Vol. 87, No.6, p. 102, 1999 
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  3. W. P. King, T. W. Kenny, K. E. Goodson, G. L. W. Cross, M. Despont, U. T. Durig, H. Rothuizen, G. Binning, and P. Vettiger, 'Design of atomic force microscope cantilevers for combined thermomechanical writing and thermal reading in array operation', J. of Microelectromechanical Systems, Vol. 11, No. 6, p. 765, 2002 
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  5. 조주현, 나기열, 박근형, 김영석, 'Fabrication & characterization of thermal cantilever array using MEMS technology for nano-scaled memory devices', 제13회 한국반도체학술대회, p. 265, 2006 
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  7. U. Durig, 'Fundamentals of micromechanical thermoelectric sensors', J. of Applied Physics, Vol. 98, Iss. 4, p. 44906-1, 2005 

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