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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.19 no.10, 2006년, pp.907 - 911
이한신 (고려대학교 전기전자공학과) , 김요한 (고려대학교 전기전자공학과) , 강이구 (극동대학교 컴퓨터정보표준학부) , 성만영 (고려대학교 전기전자공학과)
In this paper, we propose a new structure that improves the on-state voltage drop and switching speed in Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs), which can be widely used in high voltage semiconductors. The proposed structure is unique in that the collector area is divided by
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B. J. Baliga, 'Power Semiconductor Devices', PWS, 1996
T. Laska, M. Munzer, F. Pfirsch, C. Schaeffer, and J. Schmidt, 'The field stop IGBT (FS IGBT) - a new power device concept with a great improvement potential', Proc. 12th ISPSD, p. 335, 2000
F. D. Bauer, 'The super junction bipolar transistor: a new silicon power device concept for ultra low loss switching applications at medium to high voltages', Solid-State Electronics, Vol. 48, No.5, p. 705, 2004
N. Luther-King, M. Sweet, O. Spulber, K. Vershinin, M. M. De Souza, and E. M. Sankara Narayanan, 'Striped anode engineering: a concept for fast switching power device', Solid-State Electronics, Vol. 46, Iss. 6, p. 903, 2002
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