$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

SiO2/P+ 컬렉터 구조를 가지는 1700 V급 고전압용 IGBT의 설계 및 해석에 관한 연구

Design and Analysis of Insulator Gate Bipolor Transistor (IGBT) with SiO2/P+ Collector Structure Applicable to 1700 V High Voltage

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.19 no.10, 2006년, pp.907 - 911  

이한신 (고려대학교 전기전자공학과) ,  김요한 (고려대학교 전기전자공학과) ,  강이구 (극동대학교 컴퓨터정보표준학부) ,  성만영 (고려대학교 전기전자공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, we propose a new structure that improves the on-state voltage drop and switching speed in Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs), which can be widely used in high voltage semiconductors. The proposed structure is unique in that the collector area is divided by $SiO_2$, w...

주제어

AI 본문요약
AI-Helper 아이콘 AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • 이 중 Striped Anode의 경우 P+ 컬렉터 영역을 기존의 고동도 일체형에서 고동 도와 저농도의 샌드위치 구조로 실현하여 홀의 주 입량을 줄이고자 하였는데 이 같은 경우 스위칭 특성은 향상되나 홀의 감소로 인해 온 저항은 증가하는 단점이 있었다. 본 논문에서는 이의 원리를 적용하여 P+ 면적을 감소해 스위칭 특성은 향상하 면서도 온 저항은 감소시킨 새로운 컬렉터 구조를 제안하였다. 즉 컬렉터 영역에 부분적으로 trench SiO2를 형성시킨 SiO2/P+ 컬렉터 구조를 창안하여, 스위칭 특성과 온 상태 특성을 모두 향상시킨 High Density Electron IGBT (HEmETGBT)를 제 안하였으며 이의 전기적인 특성을 simulation 하여 분석하였고 이에 대한 model을 제시하였다.
  • 본 연구에서는 기존의 일반적인 수직형 IGBT 구조 및 제안한 HDE-IGBT에 대해 공정 및 소자 simulation을 실시하여 이에 대한 전기적 특성을 평가하였다. 본 연구에서 적용한 소자는 1700 V 용 고전압 IGBT 였으며 이때 사용된 불순물 dopinge 표 1에 나타내었는데, 세가지 구조 모두 동일한 조건으로 적용하였고, 새로운 구조에서는 컬렉터 영역비 (W)를 변화 하면서 주입 효율에 대한 특성을 평가하고자 하였다.
본문요약 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (4)

  1. B. J. Baliga, 'Power Semiconductor Devices', PWS, 1996 

  2. T. Laska, M. Munzer, F. Pfirsch, C. Schaeffer, and J. Schmidt, 'The field stop IGBT (FS IGBT) - a new power device concept with a great improvement potential', Proc. 12th ISPSD, p. 335, 2000 

  3. F. D. Bauer, 'The super junction bipolar transistor: a new silicon power device concept for ultra low loss switching applications at medium to high voltages', Solid-State Electronics, Vol. 48, No.5, p. 705, 2004 

  4. N. Luther-King, M. Sweet, O. Spulber, K. Vershinin, M. M. De Souza, and E. M. Sankara Narayanan, 'Striped anode engineering: a concept for fast switching power device', Solid-State Electronics, Vol. 46, Iss. 6, p. 903, 2002 

저자의 다른 논문 :

관련 콘텐츠

오픈액세스(OA) 유형

BRONZE

출판사/학술단체 등이 한시적으로 특별한 프로모션 또는 일정기간 경과 후 접근을 허용하여, 출판사/학술단체 등의 사이트에서 이용 가능한 논문

섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트