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논문 상세정보

Abstract

Langmuir-Blodgett(LB)layers of Arachidic acid deposited by LB method were deposited onto slide glass as Y-type film. The structure of manufactured device is Au/arachidic acid/Al, the number of accumulated layers are $9{\sim}21$. Also, we then examined of the Metal-Insulator-Metal(MIM) device by means of I-V. The I-V characteristics of the device are measured from -3 to +3 V. The insulation property of a thin film is better as the distance between electrodes is larger.

참고문헌 (14)

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  4. J. Zhen, C. Lin, J. S. Men, T. L. Wei, and Y. Wei, 'Surface state density distribution in band gap of metal/LB films/semiconductor structure', 89 Fourth international conference on LB films, p. 388, 1989 
  5. M. Iwamoto and A. Fukuda. 'Charge storage phenomena and I-V characteristics observed in ultrathin polyimide Langmuir Blodgett films', Jpn. J. Appl, Phys., Vol. 31, p. 1092, 1992 
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  7. M. K. Ram, R. Gowri, and B. D. Malhotra, 'Electric properties of metal/Langmuir-Blodgett (Polymeraldine base)layer/metal device', Journal of applied polymer science, Vol. 63, p. 141, 1997 
  8. M. Iwamoto and T. Sasaki, 'Thermally stimulated discharge of Au/LB/ Air-Gap/Au structures incorporaying Cadmium Arachidate Langmuir Blodgett films', Jpn. J. Appl, Phys., Vol. 29, p, 536, 1990 
  9. M. Iwamoto, S. Shidoh, T. Kubota, and M. Sekine, 'Electric properties of Langmuir Blodgett films sandwitched between Pb-Bi superconducting electrodes', Jpn. J. Appl, Phy., Vol. 27, p. 1825, 1988 
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  13. T. Kubota, M. Iwamoto, H. Noshiro, and M. Sekine, 'Josepson junctions using polyimide Langmuir Blodgett films with a Nb/Au/PI/(Pb-Bi) structure', Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 30, p. 393, 1991 
  14. 송진원, 최용성, 문종대, 이경섭, '유기박막의 전기적 특성', 한국전기전자재료학회 2006하계학술대회논문집, p. 370, 2006 

이 논문을 인용한 문헌 (1)

  1. Min, Chul-Hong ; Park, Sung-Jin ; Yoon, Neung-Goo ; Kim, Tae-Seon 2007. "Characterization of Cesium Assisted Sputtering Process Using Design of Experiment" 한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering, 40(4): 165~169 

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