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탑 게이트 탄소나노튜브 트랜지스터 특성 연구

Properties of CNT field effect transistors using top gate electrodes

센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society, v.16 no.4, 2007년, pp.313 - 318  

박용욱 (남서울대학교 전자공학과) ,  윤석진 (한국과학기술연구원 박막재료연구센터)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Single-wall carbon nanotube field-effect transistors (SWCNT FETs) of top gate structure were fabricated in a conventional metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) with gate electrodes above the conduction channel separated from the channel by a thin $SiO_{2}$ layer. The ...

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문제 정의

  • 게이트 절연막을 E-beam 증착법으로 나노튜브위에 증착시키고, 50 nm 두께의 Al을 사용하여 감광액 노광법 및 리프트-오프법으로 15 µ​​​​​​​m의 게이트 length을 갖는 제작이 완료된 탑 게이트 탄소나노튜브 FET 소자의 SEM 사진이다. 본 연구에서는 기존의 실리콘 기판을 공통게이트로 하여 동작하는 탄소나노튜브 FET와 달리 각각의 디바이스가 독립적으로 구동할 수 있고 게이트 절연막의 두께를 감소시켜 동작 전압 특성 등을 향상시키기 위해 그림 6과 같은 탑 게이트 구조의 FET를 제작하였다[9]. 이 SEM 사진에서 철 박막을 촉매로 사용하여 드레인과 소스 전극사이에 존재하는 나노튜브의 숫자를 박막의 두께로 제어하여 양전극에 연결된 나노튜브의 숫자를 하나만 연결되게 제어하였으며, 10 nm 두께의 얇은 SiO2 게이트 절연막 위에 1.
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참고문헌 (18)

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