$\require{mediawiki-texvc}$
  • 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
  • 검색연산자
검색연산자 기능 검색시 예
() 우선순위가 가장 높은 연산자 예1) (나노 (기계 | machine))
공백 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 예1) (나노 기계)
예2) 나노 장영실
| 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 예1) (줄기세포 | 면역)
예2) 줄기세포 | 장영실
! NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 예1) (황금 !백금)
예2) !image
* 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 예) semi*
"" 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 예) "Transform and Quantization"
쳇봇 이모티콘
안녕하세요!
ScienceON 챗봇입니다.
궁금한 것은 저에게 물어봐주세요.

논문 상세정보

Heteroepitaxial Growth of Single 3C-SiC Thin Films on Si (100) Substrates Using a Single-Source Precursor of Hexamethyldisilane by APCVD

Abstract

This paper describes the heteroepitaxial growth of single-crystalline 3C-SiC (cubic silicon carbide) thin films on Si (100) wafers by atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) at 1350 oC for micro/nanoelectromechanical system (M/NEMS) applications, in which hexamethyldisilane (HMDS, Si2(CH3)6) was used as a safe organosilane single-source precursor. The HMDS flow rate was 0.5 sccm and the H2 carrier gas flow rate was 2.5 slm. The HMDS flow rate was important in obtaing a mirror-like crystalline surface. The growth rate of the 3C-SiC film in this work was 4.3 μm/h. A 3C-SiC epitaxial film grown on the Si (100) substrate was characterized by X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), reflection high energy electron diffraction (RHEED), atomic force microscopy (AFM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Raman scattering, respectively. These results show that the main chemical components of the grown film were single-crystalline 3C-SiC layers. The 3C-SiC film had a very good crystal quality without twins, defects or dislocations, and a very low residual stress.

참고문헌 (20)

  1. Kroetz, G. H.; Eickhoff, M. H.; Moeller, H. Sens. Actuators A 1999, 74, 182 
  2. Casady, B.; Johnson, R. W. Solid-State Electro. 1996, 39, 1409 
  3. Mehregany, M.; Zorman, C. A. Thin Solid Films 1999, 355, 518 
  4. Sarro, P. M. Sens. Actuators A 2000, 82, 210 
  5. Mehregany, M.; Zorman, C. A.; Roy, S.; Fleischman, A. J.; Wu, C. H.; Rajan, N. Int. Mater. Rev. 2000, 45, 85 
  6. Yang, Y. T.; Ekinci, K. L.; Huang, X. M.; Schiavone, L. M.; Roukes, M. L. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 162 
  7. Kotzar, G.; Freas, M.; Abel, P.; Fleischman, A.; Roy, S.; Zorman, C.; Moran, J. M.; Melzak, J. Biomaterials 2002, 23, 2737 
  8. Badila, M.; Brezeanu, G.; Millan, J.; Godignon, P.; Locatelli, M. L.; Chante, J. P.; Lebedev, A.; Lungu, P.; Dinca, G.; Banu, V.; Banoiu, G.; Dia, G. Related Materials 2000, 9, 994 
  9. Huang, X.; Zorman, C. A.; Mehregany, M.; Roukes, M. L. Nature 2003, 421, 496 
  10. Eickhoff, M.; Moller, M.; Kroetz, G.; Stutzman, M. J. Appl. Phys. 2004, 96, 2872 
  11. Nordell, N.; Nishino, S.; Yang, J. W.; Jacob, C.; Pirouz, P. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1647 
  12. Gao, D.; Wijesundara, B. J.; Carraro, C.; Howe, R. T.; Roya, M. IEEE Sens. J. 2004, 4, 441 
  13. Jackson, K. M.; Dunning, J.; Zorman, C. A.; Mehregany, M.; Sharpe, W. N. J. Microelectromechanical Sys. 2005, 14, 664 
  14. Ishida, Y.; Takahashi, T.; Okumura, H.; Yoshida, S.; Sekigawa, T. Jpn. J. App. Phys. 1997, 36, 6633 
  15. Kim, K. C.; Shim, H. W.; Seo, Y. H.; Suth, E. K.; Nahm, K. S.; Lee, H. J. J. Korean Phys. Soc. 1998, 32, 588 
  16. Wu, C. H.; Jacob, C.; Ning, X. J.; Nishino, S.; Pirouz, P. J. Cryst. Growth 1996, 158, 480 
  17. Kubo, N.; Kawase, T.; Asahina, S.; Kanayama, N.; Tsuda, H.; Moritani, A.; Kitahara, K. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, 7654 
  18. Cicero, G.; Pizzagalli, L.; Castellani, A. Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 156 
  19. Wijesundara, M. B. J.; Valente, G.; Ashurst, W. R.; Muthu, B. J.; Howe, R. T.; Pisano, A. P.; Carraro, C.; Roya, M. J. of Electrochemical Soc. 2004, 151, C210 
  20. Kwon, J. H.; Youn, S. W.; Kang, Y. C. Bull. Korean Chem. Soc. 2006, 27, 1851 

이 논문을 인용한 문헌 (2)

  1. 2008. "" Bulletin of the Korean Chemical Society, 29(2): 450~462 
  2. Kim, Kang-San ; Chung, Gwiy-Sang 2008. "Characteristics of in-situ doped polycrystalline 3C-SiCthin films for M/NEMS applications" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society, 17(5): 325~328 

원문보기

원문 PDF 다운로드

  • ScienceON :
  • KCI :

원문 URL 링크

원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다. (원문복사서비스 안내 바로 가기)

상세조회 0건 원문조회 0건

DOI 인용 스타일