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Heteroepitaxial Growth of Single 3C-SiC Thin Films on Si (100) Substrates Using a Single-Source Precursor of Hexamethyldisilane by APCVD

Bulletin of the Korean chemical society, v.28 no.4, 2007년, pp.533 - 537  

Chung, Gwiy-Sang (School of Electrical Engineering, University of Ulsan) ,  Kim, Kang-San (School of Electrical Engineering, University of Ulsan)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper describes the heteroepitaxial growth of single-crystalline 3C-SiC (cubic silicon carbide) thin films on Si (100) wafers by atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) at 1350 oC for micro/nanoelectromechanical system (M/NEMS) applications, in which hexamethyldisilane (HMDS, Si2...

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  • 17 However, no other peaks were detected from the XRD spectra, indicating that single-crystalline cubic SiC (100) films were heteroepitaxially grown on the Si (100) substrate from a single-precursor of HMDS at 1350 ℃. Moreover, an X-ray rocking curve measurement ofthe grown 3C-SiC films was carried out and the full width at half maximum (FWHM) of the films was examined. The direction ofincidence of X-ray was parallel to the <110> azimuth of the substrate.
  • Single-crystalline 3C-SiC thin films have been heteroepitaxially grown on a Si (100) substrate using a single­ source precursor of HMDS as a safe organosilane source at 1350 ℃ by APCVD for M/NEMS applications. The crystalline quality ofthe grown 3C-SiC film was evaluated by XRD analysis, TEM, RHEED analysis, AFM, XPS, and Raman spectroscopy. It was confirmed that the main chemical components of the grown film were single-crystalline 3CSiC.
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참고문헌 (20)

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