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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.20 no.12, 2007년, pp.1072 - 1076
김상모 (경원대학교 전기공학과) , 김경환 (경원대학교 전기공학과)
We prepared the Al doped ZnO (AZO) thin film on polyethersulfon (PES) without any substrate heating by Facing Targets Sputtering (FTS) system. FTS system has two different facing targets. One is ZnO doped the content of Al 2 wt% and the other is Zn in order to decrease resistivity. The electrical, s...
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Y. Igasaki and H. Saito, 'The effects of zinc diffusion on the electrical and optical properties of ZnO:AI films prepared by r.f. reactive sputtering', Journal of Applied Physics, Vol. 199, No.2, p. 223, 1991
J. S. Yang, H. Y. Seong, M. J. Keum, J. H. Son, and K. H. Kim, 'Preparation of transparent conductive thin films by facing targets sputtering system', Surface and Coatings Technology, Vol. 169-170, p. 575, 2003
K. H. Kim, 'The preparation of indium tin oxide films as a function of oxygen gas flow rate by a facing target sputtering system', Joural of Ceramic Processing Research, Vol. 8, No.1, p. 19, 2007
M. J. Keum, B. J. Cho, H W. Choi, S. J. Park, and K. H. Kim, 'Preparation of Al doped ZnO thin films as a function of substrate temperature by a facing target sputtering system', Joural of Ceramic Processing Research, Vol. 8, No.1, p. 56, 2007
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A. P. Roth, J. B. Webb, and D. F. Williams, 'Absorption edge shift in ZnO thin films at high carrier densities', Solid State Communications, Vol. 39, p. 1269, 1981
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