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Cu CMP에서의 연마 균일성에 관한 기계적 해석
Mechanical Analysis on Uniformity in Copper Chemical Mechanical Planarization 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.20 no.1, 2007년, pp.74 - 79  

이현섭 (부산대학교 일반대학원 정밀기계공학과) ,  박범영 (부산대학교 일반대학원 정밀기계공학과) ,  정해도 (부산대학교 일반대학원 정밀기계공학과) ,  김형재 (한국생산기술연구원 부산지역본부)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Most studies on copper Chemical Mechanical Planarization (CMP) have focused on material removal and its mechanisms. Although many studies have been conducted on the mechanism of Cu CMP, a study on uniformity in Cu CMP is still unknown. Since the aim of CMP is global and local planarization, the appr...

주제어

#Copper CMP   #Uniformity   #Citric acid   #Hydrogen peroxide   #Colloidal silica   #Benzotriazole (BTA)  

AI 본문요약
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문제 정의

  • 따라서, 본「연구에서는 기존에 연구된 Cu CMP 의 연마 메카니즘을 기초로 하여, Cu CMP에서 연마균일성(uniformity)이 어떻게 형성되는지에 관하여 기계적인 관점에서 접근해 보고자 한다.
  • 본 연구에서는 기존에 연구되었던 Cu CMP에서의 화학적인 재료 제거 매카니즘을 바탕으로 CMP 에서의 기계적 요소들을 고려하여 Cu CMP에 있어서의 연마 균일성에 관하여 고찰해 보았다.
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참고문헌 (10)

  1. C.-K., Hu, B. Luther, F. B. Kaufman, J. Hummel, C. Uzoh, and D. J. Pearson, 'Copper interconnection integration and reliability', Thin Solid Films, Vol. 262, Iss. 1-2, p. 84, 1995 

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  2. S. P. Murarka, 'Metallization Theory and Practice for VLSI and ULSI', Butterworth-Heinemann, Boston, p. 100, 1993 

  3. P. Wrschka, J. Hernandez, G. S. Oehrlein, and J. King, 'Chemical mechanical planarization of copper damascene structures', Journal of The Electrochemical Society, Vol. 147, No.2, p. 706, 2000 

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  4. J. Hernandez, P. Wrschka, and G. S. Oehrlein, 'Surface chemistry studies of copper chemical mechanical planarization', Journal of The Electrochemical Society, Vol. 148, No.7, p. 389, 2001 

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  7. W.-T. Tseng, Y.-H. Wang, and J.-H. Chin, 'Effects of film stress on the chemical mechanical polishing process', Journal of The Electrochemical Society, Vol. 146, No. 11, p. 4273, 1999 

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  8. H. J. Kim and H. D. Jeong, 'Effect of process conditions on uniformity of velocity and wear distance of pad and wafer during chemical mechanical planarization', Journal of Electronic Materials, Vol. 33, No.1, 2004 

  9. Y. Luo, T. Du, and V. Desai, 'Chemicalmechanical planarization of copper : The effect of inhibitor and complexing agent', Mat. Res. Soc. Proc., Vol. 767, p. F6.10.1, 2003 

  10. Q. Luo and S. V. Babu, 'Dishing effects during chemical mechanical polishing of copper in acidic media', Journal of Electrochemical Society, Vol. 147, No. 12, p. G4639, 2000 

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