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Investigation of Top-Contact Organic Field Effect Transistors by the Treatment Using the VDP Process on Dielectric 원문보기

한국유화학회지 = Journal of oil & applied science, v.24 no.1 = no.66, 2007년, pp.54 - 60  

Kim, Young-Kwan (Department of Information Display, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices, Hongik University) ,  Hyung, Gun-Woo (Department of Materials Science and Engineering, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices, Hongik University) ,  Park, Il-Houng (Department of Information Display, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices, Hongik University) ,  Seo, Ji-Hoon (Department of Information Display, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices, Hongik University) ,  Seo, Ji-Hyun (Department of Information Display, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices, Hongik University) ,  Kim, Woo-Young (Dept. of Digital Display, Hoseo University)

초록
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이 논문에서는 게이트 절연막 위에 vapor deposition polymerization(VDP)방법을 사용하여 성막한 유기 점착층을 진공 열증착하여 유기 박막 트랜지스터(OTFTs)소자를 제작할 수 있음을 증명하였다. 우리가 제작한 Staggered-inverted top-contact 구조를 사용한 유기 박막 트랜지스터는 전기적 output 특성이 포화 영역안에서는 포화곡선을, triode 영역에서는 비선형적인 subthreshold를 확실히 볼 수 있음을 발견했다. $0.2{\mu}m$ 두께를 가진 게이트 절연막위에 유기 점착층을 사용한 OTFTs의 장 효과 정공의 이동도와 문턱전압, 그리고 절멸비는 각각, 약 0.4cm2/Vs, -0.8V, 106 이 측정되었다. 게이트 절연막의 점착층으로써 폴리이미드의 성막을 위해, 스핀코팅 방법 대신 VDP 방법을 도입하였다. 폴리이미드 고분자막은 2,2bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane dianhydride(6FDA)와 4,4'-oxydianiline(ODA)을 고진공에서 동시에 열 증착 시킨 후, 그리고 $150^{\circ}C$에서 1시간, 다시 $200^{\circ}C$에서 1시간 열처리하여 고분자화된 막을 형성하였다. 그리고 점착층이 OTFTs의 전기적 특성에 주는 영향을 설명하기 위해 비교 연구하였다.

주제어

#organic thin-film transistor (OTFT)   #vapor deposition polymerization (VDP)   #adhesion layer  

참고문헌 (13)

  1. A. Dodabalapur, Z. Bao, A. Makhija, J. G. Laquindanum, V. R. Raju, Y. Feng, H. E. Katz, and J. Rogers, Appl. Phys. Lett., 73, 142 (1998) 

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