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NTIS 바로가기센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society, v.17 no.5, 2008년, pp.346 - 349
Lee, Heon-Bok (School of Electrical Engineering and Computer Science, Kyungpook National University) , Hahm, Sung-Ho (School of Electrical Engineering and Computer Science, Kyungpook National University)
A metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet (UV) photodetector (PD) is proposed as an effective UV sensing device for integration with a GaN n-channel MISFET on auto-doped p-type GaN grown on a silicon substrate. Due to the high hole barrier of the metal-p-GaN contact, the dark current density of ...
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N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur, and E. Ozbay, "Solar-blind AlGaN-Based p-i-n photodiodes with low dark current and high detectivity", IEEE Photon.Technol. Lett., vol. 16, no. 7, pp. 1718-1720, 2004
Y.-Z. Chiou, "Nitride-based p-i-n bandpass PDs", IEEE Electron Device Lett., vol. 26, no. 3, pp. 172- 174, 2005
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H.-I. Cho, D.-S. Lee, H.-B. Lee, S.-H. Hahm, and J.-H. Lee, "Amphoteric behavior of impurities in GaN film grown on Si substrate", Jpn. J. Appl. Phys., vol. 46, no. 18, pp. L423-L426, 2007
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