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Abstract

A metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet (UV) photodetector (PD) is proposed as an effective UV sensing device for integration with a GaN n-channel MISFET on auto-doped p-type GaN grown on a silicon substrate. Due to the high hole barrier of the metal-p-GaN contact, the dark current density of the fabricated MSM PD was less than $3\;nA/cm^2$ at a bias of up to 5 V. Meanwhile, the UV/visible rejection ratio was 400 and the cutoff wavelength of the spectral responsivity was 365 nm. However, the UV/visible ratio was limited by the sub-bandgap response, which was attributed to defectrelated deep traps in the p-GaN layer of the MSM PD. In conclusion, an MSM PD has a high process compatibility with the n-channel GaN Schottky barrier MISFET fabrication process and epitaxy on a silicon substrate.

참고문헌 (8)

  1. H.-I. Cho, D.-S. Lee, H.-B. Lee, S.-H. Hahm, and J.-H. Lee, "Amphoteric behavior of impurities in GaN film grown on Si substrate", Jpn. J. Appl. Phys., vol. 46, no. 18, pp. L423-L426, 2007 
  2. H.-B. Lee, H.-I. Cho, H.-S. An, Y.-H. Bae, M.-B. Lee, J.-H. Lee, and S.-H. Hahm, "A normally off GaN n-MOSFET with schottky-barrier source and drain on a Si-auto-doped p-GaN/Si", IEEE Electron Device Lett., vol. 27, no. 8, pp.81-83, 2006 
  3. C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, S. C. Chen, C. S. Chang, T. K. Lin, H. L. Liu, and J. J. Tang, "GaN MSM UV photodetectors with titanium tungsten transparent electrodes", IEEE. Trans. Electron. Dev., vol. 53, no. 1, pp. 38-42, 2006 
  4. S. J. Chang, M. L, Lee, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. K. Su, C. S. Chang, C. J. Kao, G. C. Chi, and J. M. Tsai, "GaN metal-semiconductor-metal photodetectors with low-temperature-GaN cap layers and ITO metal contacts", IEEE Electron Device Lett., vol. 24, no. 4, pp. 212-214, 2003 
  5. S.-H. Lee, J.-K. Chun, J.-J. Hur, J,-S. Lee, G.-H. Rue, Y.-H. Bae, S.-H. Hahm, Y.-H. Lee, and J.-H. Lee, "uO2/GaN schottky contact formation with superior forward and reverse characteristics", IEEE Electron Device Lett., vol. 21, no. 6, pp. 261-263, 2000 
  6. M. L. Lee, J. K. Sheu, Y. K. Su, S. J. Chang, W. C. Lai, and G. C. Chi, "eduction of dark current in AlGaN-GaN schottky-barrier photodetectors with a low-temperature-grown GaN cap layer", IEEE Electron Device Lett., vol. 25, no. 9, pp. 593-595, 2004 
  7. N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur, and E. Ozbay, "Solar-blind AlGaN-Based p-i-n photodiodes with low dark current and high detectivity", IEEE Photon.Technol. Lett., vol. 16, no. 7, pp. 1718-1720, 2004 
  8. Y.-Z. Chiou, "Nitride-based p-i-n bandpass PDs", IEEE Electron Device Lett., vol. 26, no. 3, pp. 172- 174, 2005 

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