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논문 상세정보

희토류 금속을 이용한 니켈 실리사이드의 전기 및 물리적 특성

Electrical and Physical Characteristics of Nickel Silicide using Rare-Earth Metals

Abstract

In this paper, we investigated electrical and physical characteristics of nickel silicide using rare-earth metals(Er, Yb, Tb, Dy), Incorporated Ytterbium into Ni-silicide is proposed to reduce work function of Ni-silicide for nickel silicided schottky barrier diode (Ni-silicided SBD). Nickel silicide makes ohmic-contact or low schottky barrier height with p-type silicon because of similar work function (${\phi}_M$) in comparison with p-type silicon. However, high schottky barrier height is formed between Ni-silicide and p-type substrate by depositing thin ytterbium layer prior to Ni deposition. Even though the ytterbium is deposited below nickel, ternary phase $Yb_xN_{1-x}iSi$ is formed at the top and inner region of Ni-silicide, which is believed to result in reduction of work function about 0.15 - 0.38 eV.

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