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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.21 no.1, 2008년, pp.29 - 34
이원재 (삼성전자(주) 시스템 LSI사업부) , 김도우 (한국폴리텍여자대학 디지털디자인과) , 김용진 (매그나칩 반도체 SMS사업부) , 정순연 (충남대학교 전자공학과) , 왕진석 (충남대학교 전자공학과)
In this paper, we investigated electrical and physical characteristics of nickel silicide using rare-earth metals(Er, Yb, Tb, Dy), Incorporated Ytterbium into Ni-silicide is proposed to reduce work function of Ni-silicide for nickel silicided schottky barrier diode (Ni-silicided SBD). Nickel silicid...
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