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Abstract

Chemical mechanical polishing (CMP) allows the planarization of wafers with two or more materials. There are many elements such as slurry, polishing pad, process parameters and conditioning in CMP process. Especially, polishing pad is considered as one of the most important consumables because this affects its performances such as WIWNU(within wafer non-uniformity) and MRR(material removal rate). In polishing pad, grooves and pores on its surface affect distribution of slurry, flow and profile of MRR on wafer. A subject of this investigation is to apply CMP for planarization of shallow trench isolation structure using microstructure(MS) pad. MS pad is designed to have uniform structure on its surface and manufactured by micro-molding technology. And then STI CMP performances such as pattern selectivity, erosion and comer rounding are evaluated.

참고문헌 (7)

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  4. V. H. Nguyen, R. Daamen, H. van Kranenburg, P. van der Velden, and P. H. Woerlee, "A physical model for dishing during metal CMP", Journal of the Electrochemical Society, Vol. 150, No. 11, p. 689, 2003 
  5. 박기현, 정재우, 박범영, 서헌덕, 이현섭, 정해 도, "CMP 패드 강성에 따른 산화막 불균일성 (WIWNU)에 관한 연구", 전기전자재료학회논문지, 18권, 6호, p. 521, 2005 
  6. S. I. Chung, Y. G. Im, H. Y. Kim, H. D. Jeong, and D. A. Dornfeld, "Evaluation of micro-reflication technology using silicone rubber molds and its applications", International Journal of Machine Tools & Manufacture, Vol. 43, p. 1337, 2003 
  7. J. Y. Choi, H. Y. Kim, J. H. Park, S. I. Chung, H. D. Jeong, and M. Kinoshita, "A study on the manufacture of the next generation CMP pad with uniform shape using micro-molding method", Key Engineering Materials, Vol. 257-258, p. 413, 2004 

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