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NTIS 바로가기韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.17 no.2, 2008년, pp.165 - 169
이재희 (경일대학교 반도체물리) , 황도원 ((주)알파 플러스)
It is very important to decompose uniformly the metal film in semiconductor devices process. The thickness uniformity of the ITO film by standard magnetron sputtering system are about
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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sputtering 방법의 장점은 무엇인가? | evaporation 방법은 높은 증착율의 장점은 있으나, 증착된 박막의 밀도나 밀착력이 떨어지는 단점이 있다. 반면 sputtering 방법의 경우, 증착조건을 조절하기 쉽고, 특히 대형 기판을 사용하여 제조할 경우 박막의 두께 등 박막 특성의 균일화를 기하는데 용이한 장점을 가지고 있다[1, 2]. 그래서 현재 반도체분야나 전기전자 및 디스플레이분야에서 널리 애용하는 진공박막제조법이 sputtering 방법이다. | |
반도체, 도체 및 부도체박막의 제조방법에는 무엇이 있는가? | 반도체, 도체 및 부도체박막의 제조방법으로는 CVD, evaporation, sputtering 등의 다양한 방법이 있다. CVD 방법의 경우 증착막이 균일하지 못하고 특성 재현에 어려움이 많은 단점이 있고 또한 박막 제조시 고온이 요구되므로 많은 에너지가 요구된다. | |
반도체, 도체 및 부도체박막의 제조방법 중 CVD 방법의 단점은 무엇인가? | 반도체, 도체 및 부도체박막의 제조방법으로는 CVD, evaporation, sputtering 등의 다양한 방법이 있다. CVD 방법의 경우 증착막이 균일하지 못하고 특성 재현에 어려움이 많은 단점이 있고 또한 박막 제조시 고온이 요구되므로 많은 에너지가 요구된다. evaporation 방법은 높은 증착율의 장점은 있으나, 증착된 박막의 밀도나 밀착력이 떨어지는 단점이 있다. |
John L. Vossen & Werner Kern, THIN FILM PROCESSES (ACADEMIC PRESS, New York, 1978), pp.75-113
Brian Chapman, Glow Discharge Processes SPUTTERING AND PLASMA ETCHING (JOHN WILEY & SONS, New York, 1980), PP. 177-296
T.I. Lee, I.C. Park, and H.B. Kim, J. Kor. Vac. Soc. 11, 1 (2002)
J.S. Kim, S.H. Lee, J.H. Park, H.W. Park J.C. Choi, and H.L. Park, J. Kor. Vac. Soc. 15, 404 (2006)
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