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고균일 Al 박막 증착을 위한 magnetron sputtering system 개발
Development of magnetron sputtering system for Al thin film decomposition with high uniformity 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.17 no.2, 2008년, pp.165 - 169  

이재희 (경일대학교 반도체물리) ,  황도원 ((주)알파 플러스)

초록
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반도체 소자공정에서 균일한 두께의 금속박막을 증착하는 것은 매우 중요하다. 기존의 기판고정식 sputtering 장비로 증착한 indium tin oxide(ITO)박막의 두께 균일도가 $\pm4%\sim\pm5%$ 정도로 중앙부분이 더 두껍다. 방전전극 구조물을 설계하고 제작하여 sputtering되는 물질의 방향을 조절하였다. 개량된 sputtering gun을 사용하여 기판고정식 sputtering 장비에서 4" wafer 내에서 $\pm0.8\sim1.3%$ 정도로 두께 균일도를 증가시켰다. wafer to wafer에서는 $\pm$5.3%에서 $\pm$1.5%로 두께 균일도가 향상되었다. Al박막의 경우 $\pm$1.0% 이내의 두께 균일도를 얻을 수 있었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

It is very important to decompose uniformly the metal film in semiconductor devices process. The thickness uniformity of the ITO film by standard magnetron sputtering system are about $\pm4%\sim\pm5%$ and the center of the wafer is more thick than the edge of the wafer. We designed and ma...

주제어

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문제 정의

  • 증착된 박막은 중앙부분이 더 두껍다. sputtering 플라즈마 발생 영역에 Fig. 2와 Fig. 3과 같은 모양의 양전극을 설치하여 타겟 물질이 sputtering되는 방향을 조절하여 박막의 두께 균일도를 향상시키고자 하였다. ITO 박막과 Al박막을 증착하였으며 두께측정은 reflectometer를 사용하였다.
  • 두께가 일정한 박막제조가 가능해지면 향후 OLED, LED, OTFT, TFT-LCD, 태양전지용 ITO 및 Mo, SiO2 박막 제조장비에 적용될 수 있다. 본 논문에서는 sputtering 장비에서 방전용 전극구조물을 설치하여 ITO 및 Al 박막 제조시 두께의 균일도를 개선하고자 한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
sputtering 방법의 장점은 무엇인가? evaporation 방법은 높은 증착율의 장점은 있으나, 증착된 박막의 밀도나 밀착력이 떨어지는 단점이 있다. 반면 sputtering 방법의 경우, 증착조건을 조절하기 쉽고, 특히 대형 기판을 사용하여 제조할 경우 박막의 두께 등 박막 특성의 균일화를 기하는데 용이한 장점을 가지고 있다[1, 2]. 그래서 현재 반도체분야나 전기전자 및 디스플레이분야에서 널리 애용하는 진공박막제조법이 sputtering 방법이다.
반도체, 도체 및 부도체박막의 제조방법에는 무엇이 있는가? 반도체, 도체 및 부도체박막의 제조방법으로는 CVD, evaporation, sputtering 등의 다양한 방법이 있다. CVD 방법의 경우 증착막이 균일하지 못하고 특성 재현에 어려움이 많은 단점이 있고 또한 박막 제조시 고온이 요구되므로 많은 에너지가 요구된다.
반도체, 도체 및 부도체박막의 제조방법 중 CVD 방법의 단점은 무엇인가? 반도체, 도체 및 부도체박막의 제조방법으로는 CVD, evaporation, sputtering 등의 다양한 방법이 있다. CVD 방법의 경우 증착막이 균일하지 못하고 특성 재현에 어려움이 많은 단점이 있고 또한 박막 제조시 고온이 요구되므로 많은 에너지가 요구된다. evaporation 방법은 높은 증착율의 장점은 있으나, 증착된 박막의 밀도나 밀착력이 떨어지는 단점이 있다.
질의응답 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (7)

  1. John L. Vossen & Werner Kern, THIN FILM PROCESSES (ACADEMIC PRESS, New York, 1978), pp.75-113 

  2. Brian Chapman, Glow Discharge Processes SPUTTERING AND PLASMA ETCHING (JOHN WILEY & SONS, New York, 1980), PP. 177-296 

  3. T.I. Lee, I.C. Park, and H.B. Kim, J. Kor. Vac. Soc. 11, 1 (2002) 

  4. J.S. Kim, S.H. Lee, J.H. Park, H.W. Park J.C. Choi, and H.L. Park, J. Kor. Vac. Soc. 15, 404 (2006) 

  5. H.C. Choi and C.Y. You, J. Kor. Vac. Soc. 16, 433 (2007) 

  6. J.S. Lee, G.C. Kim, H.H. Jeon, S.J. Hwangboe, D.H. Kim, C.M. Seong, and M.H. Jeon, J. Kor. Vac. Soc. 17, 23 (2008) 

  7. G.C. Kim, S.K. Lee, J.S. Lee, D.H. Kim, S.H. Lee, J.H. Moon, and M.H. Jeon, J. Kor. Vac. Soc. 17, 40 (2008) 

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