$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Ag-첨가 Ge2Sb2Te5 박막의 물성 및 고속 결정화
Characteristics of Ag-added Ge2Sb2Te5 Thin Films and the Rapid Crystallization 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.21 no.7, 2008년, pp.629 - 637  

김성원 (전남대학교 대학원 신화학소재공학과) ,  송기호 (전남대학교 대학원 신화학소재공학과) ,  이현용 (전남대학교 응용화학공학부 촉매연구소)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

We report several experimental data capable of evaluating the amorphous-to-crystalline (a-c) phase transformation in $(Ag)_x(Ge_2Sb_2Te_5)_{1-x}$ (x = 0, 0.05, 0.1) thin films prepared by a thermal evaporation. The isothermal a-c structural phase changes were evaluated by XRD, and the opt...

주제어

#GeSbTe   #PRAM   #Amorphous materials   #Phase change characteristics   #Optical properties  

AI 본문요약
AI-Helper 아이콘 AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • 본 연구에서는 Ge2Sb2Te5 박막에 전기전도성이 우수한 Ag를 첨가한 (Ag)x(Ge2Sb2Te5)i-x 박막에서의 구조적, 광학적, 전기적 기본 특성 및 비정질-결정질 간 상변화 속도를 연구하였다. XRD, AFM 결과를 통해 Ag-첨가 박막에 대한 거시적인 열 노출은 비록 결정화 온도를 증가시키지만, 나노-펄스 스캐너에 의한 미시적 노출에서 Ag의 첨가량의 증가는 결정화 속도를 향상시킴을 알 수 있었다.
  • 본 연구에서는 PRAM 상변화 재료로 가장 널리 이용되고 있는 Ge2Sb2Te5 박막에 전기전도성이 높은 Ag를 첨가하여 비정질, 결정질 상에서의 구조적, 광학적, 전기적 기본 특성 및 상변화 속도를 평가하였다.

가설 설정

  • 마지막으로 그림 8에 도식화 되지 않았지만 그림 5에 보는 바와 같이 레이저의 높은 파워와 지속시간에서 ablation 이 발생하였고 반사도 차이는 음의 값을 나타내었다. 비정질 상에서 결정성장이 진행되지 않고 결정핵만 생성되는 최소 결정화 시간은 (a)영역과 (b) 영역 사이의 경계에서 레이저의 조사시간으로 결정된다. 즉, 이 경계는 결정화가 시작되는 시간을 레이저 파워에 따라 나타내는 선이 되며 점선으로 나타내었다,
본문요약 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (7)

  1. 신웅철, 조성목, 류상욱, 유병권, '상변화 메모리의 연구동향', 전기전자재료, 16권, 12호, p. 10, 2003 

  2. R. Nealson, D. Nealson, and Gordon Moore, 'Nonvolatile and reproprammable, the read-mostly memory is here', Electronics, p. 56, 1970 

  3. J. Maimon, E. spall, R. Quinnv, and S. Schnur, 'Chalcogenide based Non-volatile Memory Technology', 2001 IEEE, p. 2289, 1985 

  4. S. Ovshinsky, 'Amorphous materials-The key to new devices', IEEE proc. of CAS, Vol. 1, p. 33, 1998 

  5. D. Salamon and B. F. Cockburn, 'An Electrical Simulation Model for the Chalcogenide Phase-Change Memory Cell', IEEE Proc. of the Memory Tcdhnology, Design and Testing, 2003 

  6. Xia J.-L., Liu B., Song Z.-T., Feng S.-L., and Chen B., 'Electrical properties of Ag-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase change random access memory', Chin. Phys. Lett., Vol. 22, p. 934, 2005 

    상세보기 crossref

  7. A. Pirovano, A. L. Lacaita, A Benvenuti, F. Pellizzer, and R. Bez, 'Electronic swiching in phase-change memories', IEEE trans on Electronic Devices, Vol. 51, No. 3, p 452, 2004 

    상세보기 crossref

저자의 다른 논문 :

LOADING...

관련 콘텐츠

오픈액세스(OA) 유형

BRONZE

출판사/학술단체 등이 한시적으로 특별한 프로모션 또는 일정기간 경과 후 접근을 허용하여, 출판사/학술단체 등의 사이트에서 이용 가능한 논문

섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로